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IKN04N60RC2	文件：1.25911 Mbytes Page：17 Pages	丝印：K4DRC2；Package：PG-SOT223-3；600 V Reverse Conducting Drive 2 offering cost effective IGBT with monolithically integrated diode Features • VCE = 600 V • IC = 4 A • Very tight parameter distribution • Operating range of 1 to 20 kHz • Maximum junction temperature 150°C • Short circuit capability of 3 μs • Humidity robust design • Pb-free lead plating; RoHS compliant • Complete product spectrum and PSpice Models: htt 文件：1.25911 Mbytes 页数：17 Pages	INFINEON 英飞凌	INFINEON
IKN04N60RC2	文件：300 bytes Page：1 Pages	600 V、4 A IGBT 分立器件，带反向导电驱动 2 个二极管，采用 SOT-223 封装 RC Drives 2 600 V、4 A IGBT 分立器件，采用 PG-SOT-223 封装。与 RC-DF 相比，带有单片集成二极管的 RC-D2 在性能、可控性和可靠性方面都有所改进。 • 改进的可控性\n• 耐湿度设计\n• 短路能力：3 µs\n• 无铅镀铅\n• 完整的产品系列\n• 提供 SPICE 模型;	Infineon 英飞凌	Infineon
IKN04N60RC2ATMA1	文件：100 bytes Page：1 Pages	Package：TO-261-4，TO-261AA；包装：管件类别：分立半导体产品晶体管 - UGBT、MOSFET - 单描述：HOME APPLIANCES 14 PG-SOT223-3	INFINEON 英飞凌	INFINEON
IKD04N60RC2	文件：1.44619 Mbytes Page：16 Pages	Cost effective monolithically integrated IGBT with Diode 文件：1.44619 Mbytes 页数：16 Pages	INFINEON 英飞凌	INFINEON

技术参数

Eon：
0.95 mJ
IC(@100°) max：
4.1 A
IC(@25°) max：
7.5 A
ICpulsmax：
12 A
IFmax：
4.9 A
IFpulsmax：
12 A
Irrm：
4.7 A
Ptotmax：
6.8 W
QGate：
24 nC
Qrr：
97 nC
RGint：
0 Ω
RG：
49 Ω
td(off)：
126 ns
td(on)：
8 ns
tf：
24 ns
tr：
10 ns
tSC：
3 µs
VCE(sat)：
2 V
VCEmax：
600 V
VF：
1.85 V
VGE(th)：
5 V
Package：
PG-SOT223-3
Operating Temperature：
-40 °C to 150 °C
Switching Frequency：
1 kHz to 20 kHz
Technology：
IGBT RC Drives 2
Soft Switching：
No

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