IKFW40N65ES5中文资料采用 TO-247 高级隔离封装的 650 V、40 A IGBT数据手册Infineon规格书

描述 Description

采用 TO247 高级隔离封装的硬开关 650 V、40 A TRENCHSTOP ™ 5 S5 IGBT 分立器件。该 IGBT 技术适用于在 10 kHz 和 40 kHz 之间切换的应用。该封装无需隔离材料，并且由于从 IGBT 芯片到散热器的有效且可靠的热路径，实现了高功率密度、最佳热性能和最低的冷却工作量。

特性 Features

• 25°C 时 VCEsat 极低，仅为 1.35 V
• 4 倍 Ic 脉冲电流 (100°C Tc)
• 软电流下降特性
• 对称、低电压过冲
• 栅极电压受控
• 无意外导通风险
• 无需栅极钳位
• 2500 VRMS 电气隔离
• 100% 测试隔离。安装表面
• 无铅电镀：符合 RoHS 标准
• 符合 JEDEC 47/20/22 标准

应用 Application

• 电动汽车充电

简介

IKFW40N65ES5属于分立半导体产品的晶体管-UGBT、MOSFET-单。由制造生产的IKFW40N65ES5晶体管 - UGBT、MOSFET - 单单 IGBT（绝缘栅双极晶体管）是一种具有三个端子的多层半导体器件，能够处理大电流，具有快速开关特性。其特征参数包括类型、集射极击穿电压、集电极电流、脉冲集电极电流、VCE(ON)、开关能量和栅极电荷。