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IKA08N65ET6	文件：300 bytes Page：1 Pages	Discrete 650 V TRENCHSTOP™ IGBT6 with soft, fast recovery anti-parallel Rapid diode • Lowest V CE(sat) and V f\n• 650 V blocking voltage\n• 3 μsec short-circuit protection capability\n• Optimized for switching frequencies from 8–30 kHz\n• Maximum junction temperature 175°C\n• Short circuit withstand time 3 μs\n• Low gate charge QG\n\n优势:\n• Good thermal performance, especially at h;	Infineon 英飞凌	Infineon
IKA08N65ET6	文件：2.05408 Mbytes Page：16 Pages	丝印：K08EET6；Package：PG-TO220-3FP；IGBT in trench and field-stop technology with soft, fast recovery anti-parallel Rapid diode 文件：2.05408 Mbytes 页数：16 Pages	INFINEON 英飞凌	INFINEON
IKA08N65ET6XKSA1	文件：100 bytes Page：1 Pages	Package：TO-220-3 整包；包装：管件类别：分立半导体产品晶体管 - UGBT、MOSFET - 单描述：HOME APPLIANCES 14	INFINEON 英飞凌	INFINEON
IKD08N65ET6	文件：1.65022 Mbytes Page：16 Pages	IGBT in trench and field-stop technology with soft, fast recovery anti-parallel Rapid diode 文件：1.65022 Mbytes 页数：16 Pages	INFINEON 英飞凌	INFINEON

技术参数

Product Status：
active and preferred
Green：
yes
Halogen-free：
yes
Switching Frequency min：
5 kHz
Switching Frequency max：
30 kHz
Technology：
TRENCHSTOP™ IGBT6
Voltage Class max：
650 V
IC @ 100° max：
7 A
VCE(sat)：
1.5 V
Qualification：
Industrial
Eon：
0.11 mJ
Eoff Hard Switching：
0.04 mJ
IF max：
14 A
Qrr：
0.15 nC
Driver Selection：
5546d4694909da48014909dc0bb301f2=IKA08N65ET6
Type：
IGBT + Diode
Package name：
PG-TO220-3
td(on)：
20 ns
tr：
12 ns
td(off)：
59 ns
tf：
53 ns
QGate：
17 nC
IC @ 25° max：
11 A
IFpuls max：
25 A
VF：
1.28 V
Irrm：
5.9 A
ICpuls max：
25 A
tSC：
3 µs
Soft Switching：
no

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