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IRF1104PBF	文件：190.33 Kbytes Page：9 Pages	HEXFETPOWERMOSFET(VDSS=40V,RDS(on)=0.009廓,ID=100A) VDSS=40V RDS(on)=0.009Ω ID=100A Description FifthGenerationHEXFETsfromInternationalRectifierutilizeadvancedprocessingtechniquestoachieveextremelylowon-resistancepersiliconarea.Thisbenefit,combinedwiththefastswitchingspeedandruggedizeddevicedesignth	IRF International Rectifier	IRF
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IRF1104S	文件：208.86 Kbytes Page：10 Pages	HEXFETPowerMOSFET VDSS=40V RDS(on)=0.009Ω ID=100A Description FifthGenerationHEXFETsfromInternationalRectifierutilizeadvancedprocessingtechniquestoachieveextremelylowon-resistancepersiliconarea.Thisbenefit,combinedwiththefastswitchingspeedandruggedizeddevicedesignth	IRF International Rectifier	IRF
IRF1104SPBF	文件：263.14 Kbytes Page：10 Pages	HEXFETPowerMOSFET VDSS=40V RDS(on)=0.009Ω ID=100A Description FifthGenerationHEXFETsfromInternationalRectifierutilizeadvancedprocessingtechniquestoachieveextremelylowon-resistancepersiliconarea.Thisbenefit,combinedwiththefastswitchingspeedandruggedizeddevicedesignt	IRF International Rectifier	IRF
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IRL1104L	文件：203.35 Kbytes Page：11 Pages	Logic-LevelGateDrive VDSS=40V RDS(on)=0.008Ω ID=104A Description FifthGenerationHEXFET®powerMOSFETsfromInternationalRectifierutilizeadvancedprocessingtechniquestoachievethelowestpossibleon-resistancepersiliconarea.Thisbenefit,combinedwiththefastswitchingspeedandrugged	IRF International Rectifier	IRF
IRL1104LPBF	文件：222.92 Kbytes Page：10 Pages	HEXFETPowerMOSFET VDSS=40V RDS(on)=0.008Ω ID=104A Description FifthGenerationHEXFET®powerMOSFETsfromInternationalRectifierutilizeadvancedprocessingtechniquestoachievethelowestpossibleon-resistancepersiliconarea.Thisbenefit,combinedwiththefastswitchingspeedandrugged	IRF International Rectifier	IRF
IRL1104PBF	文件：172.66 Kbytes Page：9 Pages	Logic-LevelGateDrive VDSS=40V RDS(on)=0.008Ω ID=104A Description FifthGenerationHEXFET®powerMOSFETsfromInternationalRectifierutilizeadvancedprocessingtechniquestoachievethelowestpossibleon-resistancepersiliconarea.Thisbenefit,combinedwiththefastswitchingspeedandrugged	IRF International Rectifier	IRF
IRL1104S	文件：194.25 Kbytes Page：10 Pages	AdvancedProcessTechnologyLogic-LevelGateDrive VDSS=40V RDS(on)=0.008Ω ID=104A Description FifthGenerationHEXFET®powerMOSFETsfromInternationalRectifierutilizeadvancedprocessingtechniquestoachievethelowestpossibleon-resistancepersiliconarea.Thisbenefit,combinedwiththefastswitchingspeedandrugged	IRF International Rectifier	IRF
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