选定 | 供应商 | 型号 | 品牌封装 | 数量 | 批号 | 价格 | 说明/货期/品质/优势 | 询价 |
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深圳市云美电子科技有限公司2年
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INFINEON/TO247 |
84000 |
23+ |
原装进口现货 |
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深圳市环球伟业电子有限公司2年
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WSON12 |
30515 |
21+ |
优势代理渠道,原装正品,可全系列订货开增值税票 |
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深圳市麒裕半导体科技有限公司1年
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INFINEONTO-247 |
30000 |
全新年份 |
性价比之王一站式配单,可靠、高效、价格好 |
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深圳市科恒伟业电子有限公司2年
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INFINEON/英飞凌TO-247 |
9800 |
22+ |
只做原装正品假一赔十!正规渠道订货! |
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深圳市浩睿泽电子科技有限公司2年
留言
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英飞凌N/A |
1500 |
新批次 |
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深圳市天芯威科技有限公司1年
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Infineon(英飞凌)TO-247 |
25900 |
23+ |
新到现货,只有原装 |
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深圳市高捷芯城科技有限公司5年
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Infineon(英飞凌)TO-247 |
8458 |
23+ |
原厂可订货,技术支持,直接渠道。可签保供合同 |
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深圳市豪迈兴电子有限公司12年
留言
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Infineon(英飞凌)TO-247-3 |
6234 |
2307+ |
只做原装现货假一罚十!价格最低!只卖原装现货 |
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深圳市鑫宇杨电子科技有限公司8年
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50000 |
22+ |
我司100%原装正品现货,现货众多欢迎加微信 |
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深圳市能创芯电子科技有限公司7年
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INFINEONTO-247 |
20000 |
23+ |
进口原装现货 |
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深圳市拓亿芯电子有限公司10年
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INFINEON/英飞凌TO-247 |
22000 |
23+ |
专营TI进口原装假一罚万 |
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深圳市拓亿芯电子有限公司11年
留言
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INFINEONTO-247 |
15000 |
23+ |
一级代理原装现货。 |
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深圳市得捷芯城科技有限公司5年
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Infineon(英飞凌)TO-247 |
12726 |
23+ |
正规渠道,免费送样。支持账期,BOM一站式配齐 |
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深圳市振宏微科技有限公司2年
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7000 |
23+ |
原装正品!假一罚十! |
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深圳市坤融电子科技有限公司5年
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INFTO-247 |
3 |
2024+实力库存 |
只做原厂渠道 可追溯货源 |
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深圳市讯顺达科技有限公司5年
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INFINEONTO-247 |
5000 |
21+ |
全新原装公司现货 |
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深圳市恒意法电子有限公司13年
留言
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INFINEONTO-247 |
3000 |
21+ |
专营原装正品现货,当天发货,可开发票! |
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深圳市中联芯电子有限公司9年
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INFINEON/英飞凌TO-247 |
12000 |
24+ |
现货、进口原装、假一罚万,价格最低 |
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深圳市赛特兴科技有限公司3年
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INFINEONTO-247 |
3000 |
22+ |
正规渠道,只有原装! |
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深圳市东来宝电子科技有限公司12年
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INFINEONTO247 |
7400 |
23+ |
郑重承诺只做原装进口现货 |
IHW2采购信息快速发布,第一时间取得供应商价格!
IHW2图片
IHW20N120R3价格
IHW20N120R3价格:¥11.8607品牌:INFINEON
生产厂家品牌为INFINEON的IHW20N120R3多少钱,想知道IHW20N120R3价格是多少?参考价:¥11.8607。这里提供2024年最近一周走势,供应商今日竞价,代理商今日出价,IHW20N120R3批发价格及采购报价,IHW20N120R3销售排行榜及行情走势,IHW20N120R3报价。
IHW20N135R5资讯
IHW20N135R3 原装现货特价销售
IHW20N135R3原装现货特价销售IGBT晶体管
IHW20N120R3 深圳市维众兴电子有限公司 原装现货
IHW20N120R3维众兴供应INFINEON原装现货
IHW20N135R5中文资料Alldatasheet PDF
更多IHW20N120R功能描述:IGBT 晶体管 REVERSE CONDUCT IGBT 1200V 20A RoHS:否 制造商:Fairchild Semiconductor 配置: 集电极—发射极最大电压 VCEO:650 V 集电极—射极饱和电压:2.3 V 栅极/发射极最大电压:20 V 在25 C的连续集电极电流:150 A 栅极—射极漏泄电流:400 nA 功率耗散:187 W 最大工作温度: 封装 / 箱体:TO-247 封装:Tube
IHW20N120R2功能描述:IGBT 晶体管 REVERSE CONDUCT IGBT 1200V 20A RoHS:否 制造商:Fairchild Semiconductor 配置: 集电极—发射极最大电压 VCEO:650 V 集电极—射极饱和电压:2.3 V 栅极/发射极最大电压:20 V 在25 C的连续集电极电流:150 A 栅极—射极漏泄电流:400 nA 功率耗散:187 W 最大工作温度: 封装 / 箱体:TO-247 封装:Tube
IHW20N120R3功能描述:IGBT 晶体管 IH SeriesRev Conduct IGBT Monolithic Body RoHS:否 制造商:Fairchild Semiconductor 配置: 集电极—发射极最大电压 VCEO:650 V 集电极—射极饱和电压:2.3 V 栅极/发射极最大电压:20 V 在25 C的连续集电极电流:150 A 栅极—射极漏泄电流:400 nA 功率耗散:187 W 最大工作温度: 封装 / 箱体:TO-247 封装:Tube
IHW20N120R3FKSA1制造商:Infineon Technologies AG 功能描述:Trans IGBT Chip N-CH 1.2KV 40A 3-Pin(3+Tab) TO-247 制造商:Infineon Technologies AG 功能描述:IGBT PRODUCTS - Rail/Tube 制造商:Infineon Technologies AG 功能描述:IGBT 1200V 40A 310W TO247-3
IHW20N135R3功能描述:IGBT 1350V 20A 310W TO247-3 RoHS:是 类别:分离式半导体产品 >> IGBT - 单路 系列:TrenchStop™ 标准包装:30 系列:GenX3™ IGBT 类型:PT 电压 - 集电极发射极击穿(最大):1200V Vge, Ic时的最大Vce(开):3V @ 15V,100A 电流 - 集电极(Ic)(最大):200A 功率 - 最大:830W 输入类型:标准 安装类型:通孔 封装/外壳:TO-247-3 供应商设备封装:PLUS247?-3 包装:管件
IHW20N135R3FKSA1功能描述:IGBT 晶体管 RoHS:否 制造商:Fairchild Semiconductor 配置: 集电极—发射极最大电压 VCEO:650 V 集电极—射极饱和电压:2.3 V 栅极/发射极最大电压:20 V 在25 C的连续集电极电流:150 A 栅极—射极漏泄电流:400 nA 功率耗散:187 W 最大工作温度: 封装 / 箱体:TO-247 封装:Tube
IHW20T120功能描述:IGBT 晶体管 LOW LOSS DuoPack 1200V 20A RoHS:否 制造商:Fairchild Semiconductor 配置: 集电极—发射极最大电压 VCEO:650 V 集电极—射极饱和电压:2.3 V 栅极/发射极最大电压:20 V 在25 C的连续集电极电流:150 A 栅极—射极漏泄电流:400 nA 功率耗散:187 W 最大工作温度: 封装 / 箱体:TO-247 封装:Tube
IHW20T120FKSA1制造商:Infineon Technologies AG 功能描述:Trans IGBT Chip N-CH 1.2KV 20A 3-Pin(3+Tab) TO-247 制造商:Infineon Technologies AG 功能描述:IGBT PRODUCTS - Rail/Tube 制造商:Infineon Technologies AG 功能描述:IGBT 1200V 40A 178W TO247-3
IHW25N120R2功能描述:IGBT 晶体管 REVERSE CONDUCT IGBT 1200V 25A RoHS:否 制造商:Fairchild Semiconductor 配置: 集电极—发射极最大电压 VCEO:650 V 集电极—射极饱和电压:2.3 V 栅极/发射极最大电压:20 V 在25 C的连续集电极电流:150 A 栅极—射极漏泄电流:400 nA 功率耗散:187 W 最大工作温度: 封装 / 箱体:TO-247 封装:Tube
IHW25N120R2FKSA1制造商:Infineon Technologies AG 功能描述:Trans IGBT Chip N-CH 1.2KV 50A 3-Pin(3+Tab) TO-247 制造商:Infineon Technologies AG 功能描述:IGBT PRODUCTS - Rail/Tube 制造商:Infineon Technologies AG 功能描述:IGBT 1200V 50A 365W TO247-3