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IHW15N120R3	文件：790.34 Kbytes Page：12 Pages	Reverse conducting IGBT with monolithic body diode Features: • Powerful monolithic body diode with low forward voltage designed for soft commutation only • TRENCHSTOP™ technology applications offers: - very tight parameter distribution - high ruggedness, temperature stable behavior - low VCEsat - easy parallel switching capabilit 文件：790.34 Kbytes 页数：12 Pages	INFINEON 英飞凌	INFINEON
IHW15N120R3	文件：33.12 Kbytes Page：1 Pages	Material Content Data Sheet 文件：33.12 Kbytes 页数：1 Pages	INFINEON 英飞凌	INFINEON
IHW15N120R3	文件：300 bytes Page：1 Pages	1200 V IGBT with anti-parallel diode in TO-247 package 第 3 代逆导型 1200 V、15 A TRENCHSTOP™ RC-IGBT3，采用单片集成逆导型二极管在 TO-247 中封装，进行优化实现了更低的开关和传导损耗。降低的功耗和软开关行为，可实现更好的热性能和电磁干扰行为，从而降低系统成本。降低成本同时实现优异性能。 • 一流的 VCEsat 和 Vf 传导属性\n• 开关损耗低，效率高\n• Tj(max) = 175°C\n• 低电磁干扰的软电流关断波形\n\n优势:\n• 功耗低\n• 更好的热量管理\n• 浪涌电流能力可降低电磁干扰滤波要求\n• 降低系统成本\n• 电流峰值时可实现高可靠性;	Infineon 英飞凌	Infineon
IHW15N120R3_15	文件：33.12 Kbytes Page：1 Pages	Material Content Data Sheet 文件：33.12 Kbytes 页数：1 Pages	INFINEON 英飞凌	INFINEON
IHW15N120R3FKSA1	文件：100 bytes Page：1 Pages	Package：TO-247-3；包装：管件类别：分立半导体产品晶体管 - UGBT、MOSFET - 单描述：IGBT 1200V 30A 254W TO247-3	INFINEON 英飞凌	INFINEON

技术参数

Product Status：
active
Green：
yes
Halogen-free：
undefined
Switching Frequency min：
8 kHz
Switching Frequency max：
60 kHz
Technology：
IGBT RC Soft Switching
Voltage Class max：
1200 V
IC @ 100° max：
15 A
VCE(sat)：
1.48 V
Qualification：
Industrial
Eoff Hard Switching：
0.7 mJ
IF max：
30 A
Driver Selection：
5546d4694909da48014909dc0f5e0238=IGBT
Type：
IGBT + Diode
Package name：
PG-TO247-3
td(off)：
300 ns
tf：
46 ns
QGate：
165 nC
IC @ 25° max：
30 A
IFpuls max：
45 A
VF：
1.55 V
ICpuls max：
45 A
tSC：
0 µs
Soft Switching：
yes

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