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IGZ100N65H5

IGBT 分立器件

为了进一步提高 TrenchStop ™5IGBT 技术的出色性能,英飞凌在高功率封装中提供了额外的 Kelvin 发射极引脚。TO-247 4 引脚为栅极-发射极控制环路提供了超低电感,使得 TRENCHSTOP™5 IGBT 能够达到同类中较为出色的开关性能。通过采用标准 TO-247 封装体并添加额外第4针来启用 Kelvin 发射极配置。 • 极低的控制电感环路\n• 用于驱动器反馈的发射极引脚\n• 与标准 TO-247 封装相同的集电极发射极的爬电距离\n• 与采用相同技术的 TO-247 封装相比,总开关损耗降低 20%\n\n优势:\n• 与标准TO-247相比,系统效率得到提高\n• 高电流条件下的效益增加\n• IGBT在较低的结温度下工作\n• 过电流条件下的功耗更小;

Infineon

英飞凌

IGZ100N65H5

650V IGBT high speed series fifth generation

文件:1.94801 Mbytes 页数:13 Pages

Infineon

英飞凌

IGZ100N65H5XKSA1

Package:TO-247-4;包装:管件 类别:分立半导体产品 晶体管 - UGBT、MOSFET - 单 描述:IGBT TRENCH 650V 161A TO247-4

Infineon

英飞凌

技术参数

  • Product Status:

    active and preferred

  • Green:

    yes

  • Halogen-free:

    yes

  • Switching Frequency min:

    30 kHz

  • Switching Frequency max:

    100 kHz

  • Technology:

    IGBT TRENCHSTOP™ 5

  • Voltage Class max:

    650 V

  • IC @ 100° max:

    101 A

  • VCE(sat):

    1.65 V

  • Qualification:

    Industrial

  • Eon:

    0.85 mJ

  • Eoff Hard Switching:

    0.77 mJ

  • Driver Selection:

    5546d4694909da48014909dc094d01c8=650.0

  • Type:

    IGBT

  • Package name:

    PG-TO247-4

  • td(on):

    30 ns

  • tr:

    9 ns

  • td(off):

    421 ns

  • tf:

    15 ns

  • QGate:

    210 nC

  • IC @ 25° max:

    161 A

  • ICpuls max:

    400 A

  • Soft Switching:

    no

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更多IGZ100N65H5供应商 更新时间2025-10-4 8:11:00