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IGW40N65F5	文件：2.49694 Mbytes Page：15 Pages	High speed 5 FAST IGBT in TRENCHSTOP 5 technology	InfineonInfineon Technologies AG 英飞凌英飞凌科技股份公司	Infineon
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IGW40N65F5FKSA1	文件：100 bytes Page：1 Pages	Package：TO-247-3；包装：管件类别：分立半导体产品晶体管 - UGBT、MOSFET - 单描述：IGBT 650V 74A TO247-3	InfineonInfineon Technologies AG 英飞凌英飞凌科技股份公司	Infineon
IKP40N65F5	文件：2.47228 Mbytes Page：18 Pages	650VDuoPackIGBTandDiodeHighspeedswitchingseriesfifthgeneration	InfineonInfineon Technologies AG 英飞凌英飞凌科技股份公司	Infineon
IKP40N65F5	文件：2.73952 Mbytes Page：18 Pages	650VDuoPackIGBTandDiodeHighspeedswitchingseriesfifthgeneration Highspeed5IGBTinTRENCHSTOP™5technologycopackedwithRAPID1fastandsoftantiparalleldiode FeaturesandBenefits: HighspeedH5technologyoffering •Best-in-Classefficiencyinhardswitchingandresonant topologies •650Vbreakdownvoltage •LowQG •IGBTcopackedwithRAPID	InfineonInfineon Technologies AG 英飞凌英飞凌科技股份公司	Infineon
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详细参数

型号：
IGW40N65F5
功能描述：
IGBT 晶体管 ENGINEERING SAMPLES TRENCHSTOP-5 IGBT
RoHS：
否
制造商：
Fairchild Semiconductor
配置：
集电极—发射极最大电压
VCEO：
650 V
集电极—射极饱和电压：
2.3 V
栅极/发射极最大电压：
20 V 在25
C的连续集电极电流：
150 A
栅极—射极漏泄电流：
400 nA
功率耗散：
187 W
封装/箱体：
TO-247
封装：
Tube

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