丝印：65R035D2；Package：PG-HSOF-8；CoolGaN™ Gen2 650 V CoolGaN™ enhancement‑mode Power Transistor

Features • Enhancement mode transistor ‑ Normally OFF switch • Ultra fast switching • No reverse‑recovery charge • Capable of reverse conduction • Low gate charge, low output charge • Superior commutation ruggedness • ESD (HBM/CDM) JEDEC standards Benefits • Improves system efficiency

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CoolGaN ™晶体管 650 V G5

IGT65R035D2 GaN功率晶体管可提高高频运行时的效率。作为 CoolGaN ™ 650 V G5 系列的一部分，它符合最高质量标准，可实现具有卓越效率的高可靠性设计。它采用底部冷却的 TOLL 封装，旨在实现各种工业应用中的最佳功率耗散。 • 650 V e-mode 功率晶体管\n• 超快速开关\n• 无反向恢复电荷\n• 具有反向传导能力\n• 低栅极电荷、低输出电荷\n• 卓越的换向稳定性\n• 低动态 RDS(on)\n• 高 ESD 耐受性：2 kV HBM - 1 kV CDM\n• 底部冷却封装\n• 符合 JEDEC 标准 (JESD47、JESD22);

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CoolGaN™ Gen2 650 V CoolGaN™ enhancement‑mode Power Transistor

Features • Enhancement mode transistor ‑ Normally OFF switch • Ultra fast switching • No reverse‑recovery charge • Capable of reverse conduction • Low gate charge, low output charge • Superior commutation ruggedness • ESD (HBM/CDM) JEDEC standards Benefits • Improves system efficiency

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CoolGaN™ Gen2 650 V CoolGaN™ enhancement‑mode Power Transistor

Features • Enhancement mode transistor ‑ Normally OFF switch • Ultra fast switching • No reverse‑recovery charge • Capable of reverse conduction • Low gate charge, low output charge • Superior commutation ruggedness • ESD (HBM/CDM) JEDEC standards Benefits • Improves system efficiency

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