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IGOT65R045D2中文资料英飞凌数据手册PDF规格书

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厂商型号

IGOT65R045D2

功能描述

CoolGaN™ Gen2 650 V CoolGaN™ enhancement‑mode Power Transistor

丝印标识

65R045D2

封装外壳

PG-DSO-20

文件大小

857.66 Kbytes

页面数量

10

生产厂商

Infineon

中文名称

英飞凌

网址

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数据手册

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更新时间

2025-12-22 12:51:00

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IGOT65R045D2规格书详情

特性 Features

• Enhancement mode transistor ‑ Normally OFF switch

• Ultra fast switching

• No reverse‑recovery charge

• Capable of reverse conduction

• Low gate charge, low output charge

• Superior commutation ruggedness

• ESD (HBM/CDM) JEDEC standards

Benefits

• Improves system efficiency

• Improves power density

• Enables highest operating frequency

• System cost reduction savings

• Reduces EMI

供应商 型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
INFINEON/英飞凌
22+
TO-220
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英飞凌MOS管、IGBT大量有货
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INFINEON/英飞凌
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TO-220
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