IGLT65R055D2中文资料英飞凌数据手册PDF规格书

厂商型号	IGLT65R055D2
功能描述	CoolGaN™ Gen2 650 V CoolGaN™ enhancement‑mode Power Transistor
丝印标识	65R055D2
封装外壳	PG-HDSOP-16
文件大小	1.31602 Mbytes
页面数量	16 页
生产厂商	Infineon Technologies AG
企业简称	INFINEON【英飞凌】
中文名称	英飞凌科技股份公司官网
原厂标识
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更新时间	2025-8-4 10:04:00
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特性 Features

• Enhancement mode transistor ‑ Normally OFF switch

• Ultra fast switching

• No reverse‑recovery charge

• Capable of reverse conduction

• Low gate charge, low output charge

• Superior commutation ruggedness

• ESD (HBM/CDM) JEDEC standards

Benefits

• Improves system efficiency

• Improves power density

• Enables highest operating frequency

• System cost reduction savings

• Reduces EMI

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