IGLD65R055D2中文资料英飞凌数据手册PDF规格书

厂商型号	IGLD65R055D2
功能描述	CoolGaN™ Gen2 650 V CoolGaN™ enhancement‑mode Power Transistor
丝印标识	65R055D2
封装外壳	PG-LSON-8
文件大小	1.06697 Mbytes
页面数量	14 页
生产厂商	Infineon Technologies AG
企业简称	INFINEON【英飞凌】
中文名称	英飞凌科技股份公司官网
原厂标识
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更新时间	2025-8-4 14:23:00
人工找货	IGLD65R055D2价格和库存，欢迎联系客服免费人工找货

特性 Features

• Enhancement mode transistor ‑ Normally OFF switch

• Ultra fast switching

• No reverse‑recovery charge

• Capable of reverse conduction

• Low gate charge, low output charge

• Superior commutation ruggedness

• ESD (HBM/CDM) JEDEC standards

Benefits

• Improves system efficiency

• Improves power density

• Enables highest operating frequency

• System cost reduction savings

• Reduces EMI

供应商	型号	品牌	批号	封装	库存	备注	价格
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