IGN1011L70_分立半导体产品晶体管-FETMOSFET-射频-Integra Technologies Inc.

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1+	¥1,806.97000

厂家型号：
IGN1011L70
制造商：
Integra Technologies Inc.
库存数量：
11
类别：
分立半导体产品晶体管-FETMOSFET-射频
封装外壳：
PL32A2
包装：
卷带（TR）剪切带（CT）Digi-Reel® 得捷定制卷带
更新时间：
2024-9-23 14:13:00

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原厂料号：IGN1011L70品牌：Integra Technologies Inc.

资料说明：GAN, RF POWER TRANSISTOR, L-BAND

IGN1011L70是分立半导体产品 > 晶体管 - FET，MOSFET - 射频。制造商Integra Technologies Inc.生产封装PL32A2的IGN1011L70晶体管 - FET，MOSFET - 射频射频晶体管、FET 和 MOSFET 是具有三个端子的半导体器件，器件中电流受电场控制。该系列器件用于涉及射频的设备。用于放大或切换信号或功率的晶体管类型包括：E-pHEMT、LDMOS、MESFET、N 沟道、P 沟道、pHEMT、碳化硅、2 N 沟道和 4 N 沟道。

芯片型号：
ign1011l70
规格书：
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资料说明：
GAN, RF POWER TRANSISTOR, L-BAND

产品属性

类型
描述
产品编号：
IGN1011L70
制造商：
Integra Technologies Inc.
类别：
分立半导体产品 > 晶体管 - FET，MOSFET - 射频
包装：
卷带（TR）剪切带（CT）Digi-Reel® 得捷定制卷带
晶体管类型：
GaN HEMT
频率：
1.03GHz ~ 1.09GHz
增益：
22dB
功率 - 输出：
80W
封装/外壳：
PL32A2
供应商器件封装：
PL32A2
描述：
GAN, RF POWER TRANSISTOR, L-BAND

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IGN1011L70

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