IGN1214M300_分立半导体产品 晶体管-FETMOSFET-射频-Integra Technologies Inc.

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原厂料号:IGN1214M300品牌:Integra Technologies Inc.

资料说明:GAN, RF POWER TRANSISTOR, L-BAND

IGN1214M300是分立半导体产品 > 晶体管 - FET,MOSFET - 射频。制造商Integra Technologies Inc.生产封装的IGN1214M300晶体管 - FET,MOSFET - 射频射频晶体管、FET 和 MOSFET 是具有三个端子的半导体器件,器件中电流受电场控制。该系列器件用于涉及射频的设备。用于放大或切换信号或功率的晶体管类型包括:E-pHEMT、LDMOS、MESFET、N 沟道、P 沟道、pHEMT、碳化硅、2 N 沟道和 4 N 沟道。

  • 芯片型号:

    ign1214m300

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  • 资料说明:

    GAN, RF POWER TRANSISTOR, L-BAND

产品属性

  • 类型

    描述

  • 产品编号:

    IGN1214M300

  • 制造商:

    Integra Technologies Inc.

  • 类别:

    分立半导体产品 > 晶体管 - FET,MOSFET - 射频

  • 包装:

    散装

  • 描述:

    GAN, RF POWER TRANSISTOR, L-BAND

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Integra Technologies Inc.
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