IGN1011L1200_分立半导体产品 晶体管-FETMOSFET-射频-Integra Technologies Inc.

原厂料号：IGN1011L1200品牌：Integra Technologies Inc.

资料说明：GAN, RF POWER TRANSISTOR, L-BAND

IGN1011L1200是分立半导体产品 > 晶体管 - FET，MOSFET - 射频。制造商Integra Technologies Inc.生产封装PL84A1的IGN1011L1200晶体管 - FET，MOSFET - 射频射频晶体管、FET 和 MOSFET 是具有三个端子的半导体器件，器件中电流受电场控制。该系列器件用于涉及射频的设备。用于放大或切换信号或功率的晶体管类型包括：E-pHEMT、LDMOS、MESFET、N 沟道、P 沟道、pHEMT、碳化硅、2 N 沟道和 4 N 沟道。

• 芯片型号：

  ign1011l1200

• 规格书：

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• 资料说明：

  GAN, RF POWER TRANSISTOR, L-BAND