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NDP06N60Z	文件：372.64 Kbytes Page：2 Pages	iscN-ChannelMOSFETTransistor FEATURES ·DrainCurrent-ID=6.0A@TC=25℃ ·DrainSourceVoltage-VDSS=600V(Min) ·StaticDrain-SourceOn-Resistance -RDS(on)=1.2Ω(Max)@VGS=10V DESCRIPTION ·Motordrive,DC-DCconverter,powerswitch andsolenoiddrive.	ISCInchange Semiconductor Company Limited 无锡固电无锡固电半导体股份有限公司	ISC
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SCT06N60FD	文件：306.79 Kbytes Page：6 Pages	Triac	KODENSHIKODENSHI_AUK CORP. 可天士可天士光电子集团	KODENSHI
SCT06N60P	文件：378.04 Kbytes Page：6 Pages	Triac	KODENSHIKODENSHI_AUK CORP. 可天士可天士光电子集团	KODENSHI
SDF06N60	文件：193.92 Kbytes Page：11 Pages	SuperhighdensecelldesignforlowRDS(ON	SamhopSamHop Microelectronics Corp. 三合微科三合微科股份有限公司	Samhop
SDUD06N60	文件：136.16 Kbytes Page：11 Pages	SuperhighdensecelldesignforlowRDS(ON).	SamhopSamHop Microelectronics Corp. 三合微科三合微科股份有限公司	Samhop

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详细参数

型号：
IGD06N60T
功能描述：
IGBT 晶体管 LOW LOSS IGBT TECH 600V 6A
RoHS：
否
制造商：
Fairchild Semiconductor
配置：
集电极—发射极最大电压
VCEO：
650 V
集电极—射极饱和电压：
2.3 V
栅极/发射极最大电压：
20 V 在25
C的连续集电极电流：
150 A
栅极—射极漏泄电流：
400 nA
功率耗散：
187 W
封装/箱体：
TO-247
封装：
Tube

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