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SMDJ54C	文件：204.1 Kbytes Page：5 Pages	Marking：IGD；Package：DO-214AB；SURFACE MOUNT TRANSIENT VOLTAGE SUPPRESSOR DIODE Features Uni-andBi-DirectionalVersionsAvailable ExcellentClampingCapability FastResponseTime ClassificationRating94V-O GlassPassivatedDieConstruction PlasticCaseMaterialhasULFlammability	SUNMATESUNMATE electronic Co., LTD 森美特森美特半导体股份有限公司	SUNMATE

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SMDJ54C

文件：204.1 Kbytes

Page：5 Pages

Marking：IGD；Package：DO-214AB；SURFACE MOUNT TRANSIENT VOLTAGE SUPPRESSOR DIODE

Features Uni-andBi-DirectionalVersionsAvailable ExcellentClampingCapability FastResponseTime ClassificationRating94V-O GlassPassivatedDieConstruction PlasticCaseMaterialhasULFlammability

SUNMATESUNMATE electronic Co., LTD

森美特森美特半导体股份有限公司

SUNMATE

详细参数

型号：
IGD
功能描述：
IGBT 晶体管 HIGH SPEED 2 TECH 1200A 1A
RoHS：
否
制造商：
Fairchild Semiconductor
配置：
集电极—发射极最大电压
VCEO：
650 V
集电极—射极饱和电压：
2.3 V
栅极/发射极最大电压：
20 V 在25
C的连续集电极电流：
150 A
栅极—射极漏泄电流：
400 nA
功率耗散：
187 W
封装/箱体：
TO-247
封装：
Tube

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更多IGD供应商更新时间2025-7-25 15:14:00

详细参数

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