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SMDJ54C	文件：204.1 Kbytes Page：5 Pages	丝印：IGD；Package：DO-214AB；SURFACE MOUNT TRANSIENT VOLTAGE SUPPRESSOR DIODE Features Uni- and Bi-Directional Versions Available Excellent Clamping Capability Fast Response Time Classification Rating 94V-O Glass Passivated Die Construction Plastic Case Material has UL Flammability 文件：204.1 Kbytes 页数：5 Pages	SUNMATE 森美特	SUNMATE
IGD01N120H2	文件：912.52 Kbytes Page：13 Pages	丝印：G01H1202；Package：PG-TO-252-3-11；HighSpeed 2-Technology HighSpeed 2-Technology • Designed for: - SMPS - Lamp Ballast - ZVS-Converter - optimised for soft-switching / resonant topologies • 2nd generation HighSpeed-Technology for 1200V applications offers: - loss reduction in resonant circuits - temperature stable behavior - parallel switching 文件：912.52 Kbytes 页数：13 Pages	Infineon 英飞凌	Infineon
IGD06N65T6	文件：1.45973 Mbytes Page：13 Pages	丝印：G06ET6；Package：PG-TO252-3；IGBT in trench and field-stop technology 文件：1.45973 Mbytes 页数：13 Pages	Infineon 英飞凌	Infineon
IGD10N65T6	文件：3.34354 Mbytes Page：13 Pages	丝印：G10ET6；Package：PG-TO252-3；IGBT in trench and field-stop technology 文件：3.34354 Mbytes 页数：13 Pages	Infineon 英飞凌	Infineon
IGD15N65T6	文件：3.34468 Mbytes Page：13 Pages	丝印：G15ET6；Package：PG-TO252-3；IGBT in trench and field-stop technology 文件：3.34468 Mbytes 页数：13 Pages	Infineon 英飞凌	Infineon
IGD01N120H2	文件：390.96 Kbytes Page：13 Pages	HighSpeed 2-Technology HighSpeed 2-Technology • Designed for: - SMPS - Lamp Ballast - ZVS-Converter - optimised for soft-switching / resonant topologies • 2nd generation HighSpeed-Technology for 1200V applications offers: - loss reduction in resonant circuits - temperature stable behavior 文件：390.96 Kbytes 页数：13 Pages	Infineon 英飞凌	Infineon
IGD616	文件：352.39 Kbytes Page：13 Pages	Single Channel SCALE IGBT Driver Core Features Direct replacement of IGD615 Highly approved SCALE technology Non-inverting or optionally inverting inputs Gate drive capability 16A, 6W Typical delay time of 315ns Power supply voltage monitoring set to 11.5V Superior EMC (dv/dt > 100V/ns, ESD > 2kV) Highly flexible single-channe 文件：352.39 Kbytes 页数：13 Pages	POWERINTPower Integrations, Inc. 荷兰帕沃英蒂格盛有限公司	POWERINT
IGD06N60T	文件：460.08 Kbytes Page：12 Pages	IGBT in TRENCHSTOP and Fieldstop technology 文件：460.08 Kbytes 页数：12 Pages	Infineon 英飞凌	Infineon
IGD1205W	文件：359.31 Kbytes Page：2 Pages	Hybrid Integrated Isolated N-Channel IGBT Driver 文件：359.31 Kbytes 页数：2 Pages	MPD MPD (Memory Protection Devices)	MPD
IGD1205W-12	文件：1.34503 Mbytes Page：4 Pages	Hybrid Integrated Isolated N-Channel IGBT Driver 文件：1.34503 Mbytes 页数：4 Pages	MPD MPD (Memory Protection Devices)	MPD

详细参数

型号：
IGD
功能描述：
TVS 二极管 - 瞬态电压抑制器 TVS Diode SMC Suf MT
RoHS：
否
制造商：
Vishay Semiconductors
极性：
Bidirectional
击穿电压：
58.9 V
钳位电压：
77.4 V
峰值浪涌电流：
38.8 A
封装/箱体：
DO-214AB
最小工作温度：
- 55 C
最大工作温度：
+ 150 C

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