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IGC54T65T8RM	文件：81.21 Kbytes Page：5 Pages	IGBT3 Chip Medium Power Features:  650V Trench & Field Stop technology  high short circuit capability, self limiting short circuit current  positive temperature coefficient  easy paralleling  Qualified according to JEDEC for target applications 文件：81.21 Kbytes 页数：5 Pages	Infineon 英飞凌	Infineon
IGC54T65T8RM	文件：300 bytes Page：1 Pages	IGBT 裸片我们的 TRENCHSTOP™ IGBT 结合了独特的沟槽和场截止技术，是行业的标杆 • 正温度系数\n • 轻松并联\n • 符合 JEDEC 标准;	Infineon 英飞凌	Infineon
IGCM04F60GA	文件：0 bytes Page：0 Pages	IPM模块	INFINEON/英飞凌上传：深圳市正纳电子有限公司	INFINEON/英飞凌
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技术参数

VCE(sat)max：
1.82 V
VCEmax：
650 V
VDSmax：
650 V
VGE(th)：
5.1 V to 6.4 V
Operating Temperature：
-40 °C to 175 °C
Technology：
IGBT3 Medium Power

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更多IGC54T65T8RM供应商更新时间2025-12-2 11:01:00

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