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IGC18T120T8Q

TRENCHSTOPTM IGBT4 High Speed Chi

Features: • 1200V trench & field stop technology • Low switching losses • Positive temperature coefficient • Easy paralleling Recommended for: • Discrete components Applications: • High frequency drives • Uninterruptible power supplies • Welding • Solar inverters

文件:312.21 Kbytes 页数:9 Pages

Infineon

英飞凌

IGC18T120T8Q

IGBT 裸片

英飞凌的 HighSpeed 3 系列在 25kHz 至 70kHz 频率范围内实现了开关损耗和传导损耗之间的最佳平衡。该系列的主要特点是类似 MOSFET 的关断开关行为,从而实现较低的关断损耗。 • 正温度系数\n• 轻松并联;

Infineon

英飞凌

IGC18T120T8QX1SA1

Package:模具;包装:管件 类别:分立半导体产品 晶体管 - UGBT、MOSFET - 单 描述:IGBT 1200V 15A DIE

Infineon

英飞凌

IGC18T120T8L

TRENCHSTOPTM IGBT4 Low Power Chip

Features: • 1200V trench & field stop technology • Low switching losses • Positive temperature coefficient • Easy paralleling Recommended for: • Low / medium power modules Applications: • Low / medium power drives

文件:314.37 Kbytes 页数:9 Pages

Infineon

英飞凌

技术参数

  • VCE(sat)max:

    2.42 V

  • VCEmax:

    1200 V

  • VDSmax:

    1200 V

  • VGE(th):

    5.3 V to 6.3 V

  • Operating Temperature:

    -40 °C to 175 °C

  • Technology:

    IGBT HighSpeed 3

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INFINEON
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INFINEON
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更多IGC18T120T8Q供应商 更新时间2025-11-29 15:01:00