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IGC100T65T8RM

IGBT 裸片

我们的 TRENCHSTOP™ IGBT 结合了独特的沟槽和场截止技术,是行业的标杆 • 正温度系数\n • 轻松并联\n • 符合 JEDEC 标准;

Infineon

英飞凌

IGC100T65T8RM

650V Trench & Field Stop technology

文件:196.49 Kbytes 页数:5 Pages

Infineon

英飞凌

IGCM04F60GA

IPM模块

INFINEON/英飞凌

上传:深圳市正纳电子有限公司

INFINEON/英飞凌

IGCM06F60GA

IPM模块

INFINEON/英飞凌

上传:深圳市正纳电子有限公司

INFINEON/英飞凌

IGCM06F60GA

IGBT

INFINEON/英飞凌

上传:深圳市赛特兴科技有限公司

INFINEON/英飞凌

技术参数

  • VCE(sat)max:

    1.23 V

  • VCEmax:

    650 V

  • VDSmax:

    650 V

  • VGE(th):

    5.1 V to 6.4 V

  • Operating Temperature:

    -40 °C to 175 °C

  • Technology:

    IGBT3 Medium Power

供应商型号品牌批号封装库存备注价格
INFINEON
23+
8000
只做原装现货
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23+
7000
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查现货到京北通宇商城
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INFINEON/英飞凌
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英飞凌MOS管、IGBT大量有货
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INFINEON/英飞凌
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更多IGC100T65T8RM供应商 更新时间2025-12-10 15:01:00