丝印：90SB1；Package：PG-TSON-6；CoolGaN CoolGaN Transistor 200 V G3 T M

• Enhancement mode power transistor ‑ normally OFF switch • No reverse recovery charge • Reverse conduction capability • Low gate charge, low output charge • Qualified according to JEDEC for target applications

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CoolGaN ™晶体管 200 V G3，采用 PQFN 3x5、6.7 mΩ

• 200 V e 模式功率晶体管\n• 双面冷却封装\n• 无反向恢复电荷\n• 反向传导能力\n• 低栅极电荷，低输出电荷\n• 符合 JEDEC 要求;

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