IGB50N60T分立半导体产品的晶体管-UGBT、MOSFET-单规格书PDF中文资料

厂商型号	IGB50N60T
参数属性	IGB50N60T 封装/外壳为TO-263-3，D²Pak（2 引线 + 接片），TO-263AB；包装为管件；类别为分立半导体产品的晶体管-UGBT、MOSFET-单；产品描述：IGBT TRENCH 600V 100A TO263-3-2
功能描述	LOW LOSS IGBT IN TRENCH AND FIELDSTOP TECHNOLOGY IGBT TRENCH 600V 100A TO263-3-2
封装外壳	TO-263-3，D²Pak（2 引线 + 接片），TO-263AB
文件大小	402.03 Kbytes
页面数量	13 页
生产厂商	Infineon Technologies AG
企业简称	Infineon【英飞凌】
中文名称	英飞凌科技股份公司官网
原厂标识
数据手册	原厂下载下载地址一下载地址二到原厂下载
更新时间	2025-5-22 11:40:00
人工找货	IGB50N60T价格和库存，欢迎联系客服免费人工找货

IGB50N60T规格书详情

IGB50N60T属于分立半导体产品的晶体管-UGBT、MOSFET-单。由英飞凌科技股份公司制造生产的IGB50N60T晶体管 - UGBT、MOSFET - 单单 IGBT（绝缘栅双极晶体管）是一种具有三个端子的多层半导体器件，能够处理大电流，具有快速开关特性。其特征参数包括类型、集射极击穿电压、集电极电流、脉冲集电极电流、VCE(ON)、开关能量和栅极电荷。

Low Loss IGBT in Trench and Fieldstop technology

• Very low VCE(sat) 1.5 V (typ.)

• Maximum Junction Temperature 175 °C

• Short circuit withstand time – 5µs

• Designed for :

- Frequency Converters

- Uninterrupted Power Supply

• Trench and Fieldstop technology for 600 V applications offers :

- very tight parameter distribution

- high ruggedness, temperature stable behavior

- very high switching speed

- low VCE(sat)

• Positive temperature coefficient in VCE(sat)

• Low EMI

• Low Gate Charge

• Complete product spectrum and PSpice Models : http://www.infineon.com/igbt/

产品属性

产品编号：
IGB50N60TATMA1
制造商：
Infineon Technologies
类别：
分立半导体产品 > 晶体管 - UGBT、MOSFET - 单
系列：
TrenchStop®
包装：
管件
IGBT 类型：
沟道
不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）：
2V @ 15V，50A
开关能量：
2.6mJ
输入类型：
标准
25°C 时 Td（开/关）值：
26ns/299ns
测试条件：
400V，50A，7 欧姆，15V
工作温度：
-40°C ~ 175°C（TJ）
安装类型：
表面贴装型
封装/外壳：
TO-263-3，D²Pak（2 引线 + 接片），TO-263AB
供应商器件封装：
PG-TO263-3-2
描述：
IGBT TRENCH 600V 100A TO263-3-2

供应商	型号	品牌	批号	封装	库存	备注	价格
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深圳市芯福林电子科技有限公司	IGB50N60T	Infineon Technologies	21+	TO26332	13880	公司只售原装,支持实单	询价
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