IGB50N60T分立半导体产品的晶体管-UGBT、MOSFET-单规格书PDF中文资料
| 厂商型号 |
IGB50N60T |
| 参数属性 | IGB50N60T 封装/外壳为TO-263-3，D²Pak（2 引线 + 接片），TO-263AB；包装为管件；类别为分立半导体产品的晶体管-UGBT、MOSFET-单；产品描述：IGBT TRENCH 600V 100A TO263-3-2 |
| 功能描述 | Low Loss IGBT : IGBT in TRENCHSTOP??and Fieldstop technology |
| 封装外壳 | TO-263-3，D²Pak（2 引线 + 接片），TO-263AB |
| 文件大小 |
648.1 Kbytes |
| 页面数量 |
12 页 |
| 生产厂商 | Infineon |
| 中文名称 | 英飞凌 |
| 网址 | |
| 数据手册 | |
| 更新时间 | 2025-10-4 14:36:00 |
| 人工找货 | IGB50N60T价格和库存，欢迎联系客服免费人工找货 |
IGB50N60T规格书详情
IGB50N60T属于分立半导体产品的晶体管-UGBT、MOSFET-单。由英飞凌科技股份公司制造生产的IGB50N60T晶体管 - UGBT、MOSFET - 单单 IGBT（绝缘栅双极晶体管）是一种具有三个端子的多层半导体器件，能够处理大电流，具有快速开关特性。其特征参数包括类型、集射极击穿电压、集电极电流、脉冲集电极电流、VCE(ON)、开关能量和栅极电荷。
产品属性
更多- 产品编号：
IGB50N60TATMA1
- 制造商：
Infineon Technologies
- 类别：
分立半导体产品 > 晶体管 - UGBT、MOSFET - 单
- 系列：
TrenchStop®
- 包装：
管件
- IGBT 类型：
沟道
- 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）：
2V @ 15V，50A
- 开关能量：
2.6mJ
- 输入类型：
标准
- 25°C 时 Td（开/关）值：
26ns/299ns
- 测试条件：
400V，50A，7 欧姆，15V
- 工作温度：
-40°C ~ 175°C（TJ）
- 安装类型：
表面贴装型
- 封装/外壳：
TO-263-3，D²Pak（2 引线 + 接片），TO-263AB
- 供应商器件封装：
PG-TO263-3-2
- 描述：
IGBT TRENCH 600V 100A TO263-3-2
| 供应商 | 型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
Infineon(英飞凌) |
24+ |
N/A |
9855 |
原装正品现货支持实单 |
询价 | ||
INFINEON |
24+ |
P-TO-263-3 |
15000 |
原装原标原盒 给价就出 全网最低 |
询价 | ||
INFINEON |
24+ |
P-TO-263-3-2 |
8866 |
询价 | |||
INFINEON/英飞凌 |
22+ |
P-TO-263-3 |
2500 |
原装正品 |
询价 | ||
Infineon/英飞凌 |
25+ |
原厂封装 |
10280 |
原厂授权代理,专注军工、汽车、医疗、工业、新能源！ |
询价 | ||
INFINEON |
1922+ |
TO-263 |
747 |
一级代理,专注军工、汽车、医疗、工业、新能源、电力 |
询价 | ||
INFINEON/英飞凌 |
24+ |
SOT-263 |
17659 |
原装进口假一罚十 |
询价 | ||
Infineon/英飞凌 |
2023+ |
PG-TO263-3 |
6000 |
原装正品现货、支持第三方检验、终端BOM表可配单提供 |
询价 | ||
Infineon/英飞凌 |
24+ |
PG-TO263-3 |
8000 |
只做原装，欢迎询价，量大价优 |
询价 | ||
INFINEON |
SOT-263 |
30216 |
提供BOM表配单TEL:0755-83759919QQ:2355705587杜S |
询价 |
