IGB50N60T分立半导体产品晶体管-UGBT、MOSFET-单规格书PDF中文资料
| 厂商型号 |
IGB50N60T |
| 参数属性 | IGB50N60T 封装/外壳为TO-263-3，D²Pak（2 引线 + 接片），TO-263AB；包装为管件；类别为分立半导体产品 > 晶体管 - UGBT、MOSFET - 单；产品描述：IGBT TRENCH 600V 100A TO263-3-2 |
| 功能描述 | Low Loss IGBT in TrenchStop technology |
| 文件大小 |
467.71 Kbytes |
| 页面数量 |
12 页 |
| 生产厂商 | Infineon Technologies AG |
| 企业简称 |
Infineon【英飞凌】 |
| 中文名称 | 英飞凌科技公司官网 |
| 原厂标识 |  |
| 数据手册 | |
| 更新时间 | 2024-5-4 23:00:00 |
IGB50N60T规格书详情
IGB50N60T属于分立半导体产品 > 晶体管 - UGBT、MOSFET - 单。英飞凌科技公司制造生产的IGB50N60T晶体管 - UGBT、MOSFET - 单单 IGBT（绝缘栅双极晶体管）是一种具有三个端子的多层半导体器件，能够处理大电流，具有快速开关特性。其特征参数包括类型、集射极击穿电压、集电极电流、脉冲集电极电流、VCE(ON)、开关能量和栅极电荷。
产品属性
- 产品编号：
IGB50N60TATMA1
- 制造商：
Infineon Technologies
- 类别：
分立半导体产品 > 晶体管 - UGBT、MOSFET - 单
- 系列：
TrenchStop®
- 包装：
管件
- IGBT 类型：
沟道
- 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）：
2V @ 15V，50A
- 开关能量：
2.6mJ
- 输入类型：
标准
- 25°C 时 Td（开/关）值：
26ns/299ns
- 测试条件：
400V，50A，7 欧姆，15V
- 工作温度：
-40°C ~ 175°C（TJ）
- 安装类型：
表面贴装型
- 封装/外壳：
TO-263-3，D²Pak（2 引线 + 接片），TO-263AB
- 供应商器件封装：
PG-TO263-3-2
- 描述：
IGBT TRENCH 600V 100A TO263-3-2
| 供应商 | 型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
Infineon(英飞凌) |
23+ |
TO-263 |
1612 |
原厂订货渠道,支持BOM配单一站式服务 |
询价 | ||
Infineon/英飞凌 |
21+ |
PG-TO263-3 |
6000 |
原装现货正品 |
询价 | ||
Infineon(英飞凌) |
23+ |
NA/ |
8735 |
原厂直销,现货供应,账期支持! |
询价 | ||
INFINEON |
23+ |
50A,600V,不带D |
20000 |
全新原装假一赔十 |
询价 | ||
INFINEON/英飞凌 |
22+ |
SOT-263 |
100000 |
代理渠道/只做原装/可含税 |
询价 | ||
INFINEON/英飞凌 |
24+ |
TO263 |
58000 |
全新原厂原装正品现货,可提供技术支持、样品免费! |
询价 | ||
infineon/英飞凌 |
2021/2022+ |
NA |
7000 |
原厂原装现货订货价格优势终端BOM表可配单提供样品 |
询价 | ||
Infineon/英飞凌 |
23+ |
PG-TO263-3 |
25000 |
原装正品,假一赔十! |
询价 | ||
Infineon(英飞凌) |
23+ |
TO2633 |
6000 |
询价 | |||
Infineon/英飞凌 |
21+ |
PG-TO263-3 |
6820 |
只做原装,质量保证 |
询价 |
