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IGB30N60H3

600V high speed switching series third generation

文件:1.63937 Mbytes 页数:14 Pages

Infineon

英飞凌

IGB30N60H3

600V high speed switching series third generation

文件:1.45972 Mbytes 页数:14 Pages

Infineon

英飞凌

IGB30N60H3

采用 TO263 D2Pak 封装的 600 V、30 A IGBT3

采用 TO263 D2Pak 封装的高速 600 V、30 A 单个 TRENCHSTOP ™ IGBT3 在开关损耗和传导损耗之间实现了最佳平衡。该系列的主要特点是类似 MOSFET 的关断开关行为,从而实现较低的关断损耗。 • 低开关损耗\n • 出色的 Vce(sat) 行为\n • 快速开关行为\n • 低 EMI 辐射\n • 优化二极管:\n • 改善开关损耗\n • 低栅极电阻选择。\n • 出色的开关行为 (@>5 Ω)\n • 短路能力 5µs\n • 提供 175°C 的 Tj(max)\n • 包装有免费和无免费两种。二极管;

Infineon

英飞凌

IGB30N60H3_14

600V high speed switching series third generation

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Infineon

英飞凌

技术参数

  • Eon:

    0.73 mJ

  • IC(@100°) max:

    30 A

  • IC(@25°) max:

    60 A

  • ICpulsmax:

    120 A

  • Ptotmax:

    187 W

  • QGate:

    165 nC

  • RGint:

    0 Ω

  • RG:

    10.5 Ω

  • td(off):

    207 ns

  • td(on):

    18 ns

  • tf:

    22 ns

  • tr:

    22 ns

  • VCE(sat):

    1.95 V

  • VCEmax:

    600 V

  • Package:

    D2PAK (TO-263-3)

  • Switching Frequency:

    20 kHz to 100 kHz

  • Technology:

    IGBT HighSpeed 3

供应商型号品牌批号封装库存备注价格
Infineon(英飞凌)
24+
TO-263
1612
原厂订货渠道,支持BOM配单一站式服务
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INFINEON TECHNOLOGIES AG
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918000
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英飞凌
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TO-263-3
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Infineon
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进口原装正品优势供应
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Infineon
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TO-263
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全新原装正品现货,支持订货
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Infineon/英飞凌
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Infineon/英飞凌
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PG-TO263-3
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更多IGB30N60H3供应商 更新时间2025-10-13 23:00:00