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IGB30N60H3 | 600V high speed switching series third generation 文件:1.63937 Mbytes 页数:14 Pages | Infineon 英飞凌 | Infineon | |
IGB30N60H3 | 600V high speed switching series third generation 文件:1.45972 Mbytes 页数:14 Pages | Infineon 英飞凌 | Infineon | |
IGB30N60H3 | 采用 TO263 D2Pak 封装的 600 V、30 A IGBT3 采用 TO263 D2Pak 封装的高速 600 V、30 A 单个 TRENCHSTOP ™ IGBT3 在开关损耗和传导损耗之间实现了最佳平衡。该系列的主要特点是类似 MOSFET 的关断开关行为,从而实现较低的关断损耗。 • 低开关损耗\n • 出色的 Vce(sat) 行为\n • 快速开关行为\n • 低 EMI 辐射\n • 优化二极管:\n • 改善开关损耗\n • 低栅极电阻选择。\n • 出色的开关行为 (@>5 Ω)\n • 短路能力 5µs\n • 提供 175°C 的 Tj(max)\n • 包装有免费和无免费两种。二极管; | Infineon 英飞凌 | Infineon | |
600V high speed switching series third generation 文件:1.63937 Mbytes 页数:14 Pages | Infineon 英飞凌 | Infineon |
技术参数
- Eon:
0.73 mJ
- IC(@100°) max:
30 A
- IC(@25°) max:
60 A
- ICpulsmax:
120 A
- Ptotmax:
187 W
- QGate:
165 nC
- RGint:
0 Ω
- RG:
10.5 Ω
- td(off):
207 ns
- td(on):
18 ns
- tf:
22 ns
- tr:
22 ns
- VCE(sat):
1.95 V
- VCEmax:
600 V
- Package:
D2PAK (TO-263-3)
- Switching Frequency:
20 kHz to 100 kHz
- Technology:
IGBT HighSpeed 3
供应商 | 型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
---|---|---|---|---|---|---|---|
Infineon(英飞凌) |
24+ |
TO-263 |
1612 |
原厂订货渠道,支持BOM配单一站式服务 |
询价 | ||
INFINEON TECHNOLOGIES AG |
25+ |
SMD |
918000 |
明嘉莱只做原装正品现货 |
询价 | ||
英飞凌 |
24+ |
TO-263-3 |
5000 |
全新、原装 |
询价 | ||
Infineon |
24+ |
NA |
3000 |
进口原装正品优势供应 |
询价 | ||
INFINEON |
23+ |
TO-263 |
11846 |
一级代理商现货批发,原装正品,假一罚十 |
询价 | ||
Infineon(英飞凌) |
2447 |
PG-TO263-3 |
115000 |
1000个/圆盘一级代理专营品牌!原装正品,优势现货, |
询价 | ||
Infineon |
23+ |
TO-263 |
50000 |
全新原装正品现货,支持订货 |
询价 | ||
Infineon/英飞凌 |
2021+ |
PG-TO263-3 |
9600 |
原装现货,欢迎询价 |
询价 | ||
Infineon/英飞凌 |
24+ |
PG-TO263-3 |
25000 |
原装正品,假一赔十! |
询价 | ||
Infineon/英飞凌 |
24+ |
PG-TO263-3 |
6000 |
全新原装深圳仓库现货有单必成 |
询价 |
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