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IFF750B12ME7_B11	文件：1.08266 Mbytes Page：17 Pages	EconoDUAL™3 module with TRENCHSTOP™IGBT7 and emitter controlled 7 diode and PressFIT / NTC / current sense shunt Features • Electrical features - VCES = 1200 V - IC nom = 750 A / ICRM = 1500 A - Integrated temperature sensor - TRENCHSTOPTM IGBT7 - VCE,sat with positive temperature coefficient • Mechanical features - PressFIT contact technology - Standard housing - Isolated base plate - High power 文件：1.08266 Mbytes 页数：17 Pages	Infineon 英飞凌	Infineon
IFF750B12ME7_B11	文件：300 bytes Page：1 Pages	1200 V、750 A 双 IGBT 模块 EconoDUAL ™ 3 1200 V、750 A 双 TRENCHSTOP ™ IGBT7 模块，带有发射极控制的 7 个二极管、NTC、集成分流器和 PressFIT 接触技术。 • 最高功率密度\n• 改进的端子\n• 用于直流测量的集成分流电阻\n• 隔离底板\n• 可焊接的压接辅助端子;	Infineon 英飞凌	Infineon
IFR25P0T0SE22	文件：0 bytes Page：0 Pages	SMD	SAMSUNG三星上传：深圳市乐创天科技有限公司	SAMSUNG三星
IFR3386T0SE01	文件：0 bytes Page：0 Pages	SMD	SAMSUNG三星上传：深圳市乐创天科技有限公司	SAMSUNG三星
IFSC1515AHER2R2M01	文件：0 bytes Page：0 Pages	SMD	VishayVishay Siliconix 威世威世科技公司上传：深圳市森海汇恒科技有限公司	Vishay

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更多IFF750B12ME7_B11供应商更新时间2025-10-31 11:06:00