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|---|---|---|---|---|
IDYH40G200C5 | 丝印:D4020C5;Package:PG-TO247-4-PLUS-NT14;CoolSiC™ Schottky diode 2000 V G5 Features • VRRM = 2000 V • IF = 40 A • VF = 1.5 V • No reverse recovery current / no forward recovery • High surge current capability • Temperature independent switching behavior • Low forward voltage even at high operating temperature • Tight forward voltage distribution • Specified dv/d 文件:1.06539 Mbytes 页数:10 Pages | Infineon 英飞凌 | Infineon | |
IDYH40G200C5 | CoolSiC ™肖特基二极管 2000 V,采用 TO-247PLUS-4 HCC 封装 采用 TO-247PLUS-4 HCC 封装的 CoolSiC ™肖特基二极管 2000 V、40 A 第五代,可在高达 1500 VDC 的高直流链路系统中实现更高的效率并简化设计。新型 TO-247PLUS-4 HCC 封装的爬电距离延长至 14 毫米,电气间隙距离延长至 5.4 毫米,可在恶劣环境下提供额外的安全性。该二极管采用 .XT 互连技术,具有一流的热性能,并且具有很强的抗湿性。该二极管非常适合匹配的 CoolSiC ™ MOSFET 2000 V 产品组合。 • VRRM = 2000 V\n• 我F = 40A\n• VF = 1.5V\n• 无反向恢复电流\n• 无前向恢复\n• 高浪涌电流承受能力\n• 不受温度影响的开关行为\n• 低正向电压\n• 紧密的正向电压分布\n• 指定的 dv/dt 耐用性\n• .XT互连技术; | Infineon 英飞凌 | Infineon |
技术参数
- IFmax:
40 A
- IR:
0.02 mA
- Ptotmax:
652 W
- QC:
358 nC
- RthJC:
0.18 K/W
- VF:
1.5 V
- Package:
PG-TO247-4-PLUS
- Qualification:
Industrial
| 供应商 | 型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
IDT |
25+ |
1 |
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SAMSUNG/三星 |
23+ |
BGA |
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25+ |
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25+ |
SIP |
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全新原装正品支持含税 |
询价 |
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- PERICOMPI7C8150
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