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IDW80C65D2	文件：300 bytes Page：1 Pages	采用 TO-247 封装的 650 V IGBT 硅功率二极管 Rapid 2 650 V 开关, 80 A发射极控制硅功率二极管具有TO-247封装和共阴极配置，可对设计进行优化，尺寸更为紧凑，组装更加简易，从而降低了成本。 • 1.35 V 温度稳定正向电压（VF）\n• 极高柔软度—实现最终柔软度和低 EMI 滤波的因素\n• 极低的 Irrm 可在升压开关上提供低开通损耗\n• 适合开关频率在 18 kHz 到 40 kHz之间的应用\n\n优势:;	Infineon 英飞凌	Infineon
IDW80C65D2	文件：1.57988 Mbytes Page：10 Pages	Emitter Controlled Diode Rapid 2 Common Cathode Series 文件：1.57988 Mbytes 页数：10 Pages	Infineon 英飞凌	Infineon
IDW80C65D2XKSA1	文件：100 bytes Page：1 Pages	Package：TO-247-3；包装：管件类别：分立半导体产品二极管 - 整流器 - 阵列描述：DIODE 650V 80A CC RAPID2 TO247-3	Infineon 英飞凌	Infineon

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更多IDW80C65D2供应商更新时间2025-10-5 23:00:00