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IDW40E65D2

采用 TO-247 封装的 650 V 硅功率二极管

采用 TO-247 封装的 Rapid 2 开关 650 V、40 A 发射极控制功率硅二极管专为在 40 kHz 和 100 kHz 之间切换的应用而设计。 • 最低反向恢复电荷\n • 最高软度因子\n • 低反向恢复时间 (trr)\n • 最低 Irrm\n • 升压开关上的低导通损耗;

Infineon

英飞凌

IDW40E65D2

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文件:1.61611 Mbytes 页数:10 Pages

Infineon

英飞凌

IDW40E65D2FKSA1

Package:TO-247-3;包装:卷带(TR)剪切带(CT)Digi-Reel® 得捷定制卷带 类别:分立半导体产品 二极管 - 整流器 - 单 描述:DIODE GEN PURP 650V 80A TO247-3

Infineon

英飞凌

IDP40E65D2

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文件:1.73006 Mbytes 页数:10 Pages

Infineon

英飞凌

技术参数

  • IF:

    40 A

  • IRmax:

    40 µA

  • Irrm:

    2.9 A

  • Ptotmax:

    180 W

  • Qrr:

    0.13 µC

  • RthJCmax:

    0.84 K/W

  • trr:

    75 ns

  • VF:

    1.6 V

  • Mounting:

    THT

  • Package:

    TO-247

  • Operating Temperature:

    -40 °C to 175 °C

  • Voltage Classmax:

    650 V

  • Configuration:

    Single

供应商型号品牌批号封装库存备注价格
Infineon(英飞凌)
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更多IDW40E65D2供应商 更新时间2025-10-4 9:38:00