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IDT71V65802S133BG

256K x 36, 512K x 18 3.3V Synchronous ZBT SRAMs 2.5V I/O, Burst Counter Pipelined Outputs

文件:970.82 Kbytes 页数:26 Pages

IDT

IDT71V65802S133BGI

256K x 36, 512K x 18 3.3V Synchronous ZBT SRAMs 2.5V I/O, Burst Counter Pipelined Outputs

文件:970.82 Kbytes 页数:26 Pages

IDT

IDT71V65802S133BG

IC SRAM 9M PARALLEL 119PBGA

Renesas

瑞萨

IDT71V65802S133BG

Package:119-BGA;包装:卷带(TR) 类别:集成电路(IC) 存储器 描述:IC SRAM 9MBIT PARALLEL 119PBGA

RENESAS

瑞萨

IDT71V65802S133BG8

Package:119-BGA;包装:卷带(TR) 类别:集成电路(IC) 存储器 描述:IC SRAM 9MBIT PARALLEL 119PBGA

RENESAS

瑞萨

产品属性

  • 产品编号:

    IDT71V65802S133BG

  • 制造商:

    Renesas Electronics America Inc

  • 类别:

    集成电路(IC) > 存储器

  • 包装:

    卷带(TR)

  • 存储器类型:

    易失

  • 存储器格式:

    SRAM

  • 技术:

    SRAM - 同步,SDR(ZBT)

  • 存储容量:

    9Mb(512K x 18)

  • 存储器接口:

    并联

  • 电压 - 供电:

    3.135V ~ 3.465V

  • 工作温度:

    0°C ~ 70°C(TA)

  • 安装类型:

    表面贴装型

  • 封装/外壳:

    119-BGA

  • 供应商器件封装:

    119-PBGA(14x22)

  • 描述:

    IC SRAM 9MBIT PARALLEL 119PBGA

供应商型号品牌批号封装库存备注价格
IDT
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119-PBGA(14x22)
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119-PBGA(14x22)
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更多IDT71V65802S133BG供应商 更新时间2026-6-1 16:34:00