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IDT71V65802S-150BQ

256K x 36, 512K x 18 3.3V Synchronous ZBT SRAMs 2.5V I/O, Burst Counter Pipelined Outputs

文件:970.82 Kbytes 页数:26 Pages

IDT

IDT71V65802S150BQI

256K x 36, 512K x 18 3.3V Synchronous ZBT SRAMs 2.5V I/O, Burst Counter Pipelined Outputs

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IDT

IDT71V65802S-150BQI

256K x 36, 512K x 18 3.3V Synchronous ZBT SRAMs 2.5V I/O, Burst Counter Pipelined Outputs

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IDT

IDT71V65802S150PF

256K x 36, 512K x 18 3.3V Synchronous ZBT SRAMs 2.5V I/O, Burst Counter Pipelined Outputs

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IDT

IDT71V65802S-150PF

256K x 36, 512K x 18 3.3V Synchronous ZBT SRAMs 2.5V I/O, Burst Counter Pipelined Outputs

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IDT

IDT71V65802S150PFI

256K x 36, 512K x 18 3.3V Synchronous ZBT SRAMs 2.5V I/O, Burst Counter Pipelined Outputs

文件:970.82 Kbytes 页数:26 Pages

IDT

IDT71V65802S-150PFI

256K x 36, 512K x 18 3.3V Synchronous ZBT SRAMs 2.5V I/O, Burst Counter Pipelined Outputs

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IDT

IDT71V65802S100BG8

IC SRAM 9M PARALLEL 119PBGA

Renesas

瑞萨

IDT71V65802S100BQ

IC SRAM 9M PARALLEL 165CABGA

Renesas

瑞萨

IDT71V65802S100BQ8

IC SRAM 9M PARALLEL 165CABGA

Renesas

瑞萨

技术参数

  • 存储器格式:

    SRAM

  • 技术:

    SRAM - 同步 ZBT

  • 存储容量:

    9Mb (512K x 18)

  • 时钟频率:

    100MHz

  • 访问时间:

    5ns

  • 存储器接口:

    并联

  • 电压 - 电源:

    3.135V ~ 3.465V

  • 工作温度:

    0°C ~ 70°C(TA)

  • 安装类型:

    表面贴装

  • 封装/外壳:

    119-BGA

  • 供应商器件封装:

    119-PBGA(14x22)

供应商型号品牌批号封装库存备注价格
IDT
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119-PBGA(14x22)
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119-PBGA(14x22)
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更多IDT71V65802供应商 更新时间2026-1-27 16:31:00