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IDT71V35761S200PFI	文件：282.83 Kbytes Page：22 Pages	128K x 36, 256K x 18 3.3V Synchronous SRAMs 3.3V I/O, Pipelined Outputs Burst Counter, Single Cycle Deselect Description TheIDT71V35761/781arehigh-speedSRAMsorganizedas128Kx36/256Kx18.TheIDT71V35761/781SRAMscontainwrite,data,addressandcontrolregisters.InternallogicallowstheSRAMtogenerateaself-timedwritebaseduponadecisionwhichcanbeleftuntiltheendofthewritec	IDTIntegrated Device Technology, Inc. 集成器深圳市集成器件技术有限公司
IDT71V35761S200PFI	文件：100 bytes Page：1 Pages	包装：托盘封装/外壳：100-LQFP 类别：集成电路（IC）存储器描述：IC SRAM 4.5MBIT PARALLEL 100TQFP	RENESASRenesas Electronics America 瑞萨瑞萨科技有限公司
IDT71V35761S200PFI8	文件：100 bytes Page：1 Pages	包装：托盘封装/外壳：100-LQFP 类别：集成电路（IC）存储器描述：IC SRAM 4.5MBIT PARALLEL 100TQFP	RENESASRenesas Electronics America 瑞萨瑞萨科技有限公司
71V35761S200PFG	文件：319.72 Kbytes Page：23 Pages	128Kx363.3VSynchronousSRAMs3.3VI/O,PipelinedOutputsBurstCounter,SingleCycleDeselect Features ◆128Kx36memoryconfigurations ◆Supportshighsystemspeed: Commercial: –200MHz3.1nsclockaccesstime CommercialandIndustrial: –183MHz3.3nsclockaccesstime –166MHz3.5nsclockaccesstime ◆LBOinputselectsinterleavedorlinearburstmode ◆3.3Vcorepowersupply	RENESASRenesas Electronics America 瑞萨瑞萨科技有限公司
IDT71V35761S200BG	文件：282.83 Kbytes Page：22 Pages	128Kx36,256Kx183.3VSynchronousSRAMs3.3VI/O,PipelinedOutputsBurstCounter,SingleCycleDeselect Description TheIDT71V35761/781arehigh-speedSRAMsorganizedas128Kx36/256Kx18.TheIDT71V35761/781SRAMscontainwrite,data,addressandcontrolregisters.InternallogicallowstheSRAMtogenerateaself-timedwritebaseduponadecisionwhichcanbeleftuntiltheendofthewritec	IDTIntegrated Device Technology, Inc. 集成器深圳市集成器件技术有限公司
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IDT71V35761S200BGI	文件：282.83 Kbytes Page：22 Pages	128Kx36,256Kx183.3VSynchronousSRAMs3.3VI/O,PipelinedOutputsBurstCounter,SingleCycleDeselect Description TheIDT71V35761/781arehigh-speedSRAMsorganizedas128Kx36/256Kx18.TheIDT71V35761/781SRAMscontainwrite,data,addressandcontrolregisters.InternallogicallowstheSRAMtogenerateaself-timedwritebaseduponadecisionwhichcanbeleftuntiltheendofthewritec	IDTIntegrated Device Technology, Inc. 集成器深圳市集成器件技术有限公司
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IDT71V35761S200BQI	文件：282.83 Kbytes Page：22 Pages	128Kx36,256Kx183.3VSynchronousSRAMs3.3VI/O,PipelinedOutputsBurstCounter,SingleCycleDeselect Description TheIDT71V35761/781arehigh-speedSRAMsorganizedas128Kx36/256Kx18.TheIDT71V35761/781SRAMscontainwrite,data,addressandcontrolregisters.InternallogicallowstheSRAMtogenerateaself-timedwritebaseduponadecisionwhichcanbeleftuntiltheendofthewritec	IDTIntegrated Device Technology, Inc. 集成器深圳市集成器件技术有限公司
IDT71V35761S200PF	文件：282.83 Kbytes Page：22 Pages	128Kx36,256Kx183.3VSynchronousSRAMs3.3VI/O,PipelinedOutputsBurstCounter,SingleCycleDeselect Description TheIDT71V35761/781arehigh-speedSRAMsorganizedas128Kx36/256Kx18.TheIDT71V35761/781SRAMscontainwrite,data,addressandcontrolregisters.InternallogicallowstheSRAMtogenerateaself-timedwritebaseduponadecisionwhichcanbeleftuntiltheendofthewritec	IDTIntegrated Device Technology, Inc. 集成器深圳市集成器件技术有限公司
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IDT71V35761S200PFGI	文件：972.44 Kbytes Page：21 Pages	3.3VSynchronousSRAMs3.3VI/O,PipelinedOutputsBurstCounter,SingleCycleDeselect	IDTIntegrated Device Technology, Inc. 集成器深圳市集成器件技术有限公司

产品属性

产品编号：
IDT71V35761S200PFI
制造商：
Renesas Electronics America Inc
类别：
集成电路（IC） > 存储器
包装：
托盘
存储器类型：
易失
存储器格式：
SRAM
技术：
SRAM - 同步，SDR
存储容量：
4.5Mb（128K x 36）
存储器接口：
并联
电压 - 供电：
3.135V ~ 3.465V
工作温度：
-40°C ~ 85°C（TA）
安装类型：
表面贴装型
封装/外壳：
100-LQFP
供应商器件封装：
100-TQFP（14x14）
描述：
IC SRAM 4.5MBIT PARALLEL 100TQFP

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