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IDT71V35761S200BQG	文件：972.44 Kbytes Page：21 Pages	3.3V Synchronous SRAMs 3.3V I/O, Pipelined Outputs Burst Counter, Single Cycle Deselect 文件：972.44 Kbytes 页数：21 Pages	IDT	IDT
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IDT71V35761S200BQG	文件：300 bytes Page：1 Pages	IC SRAM 4.5M PARALLEL 165CABGA	Renesas 瑞萨	Renesas
IDT71V35761S200BQG	文件：100 bytes Page：1 Pages	Package：165-TBGA；包装：托盘类别：集成电路（IC）存储器描述：IC SRAM 4.5MBIT PAR 165CABGA	RENESAS 瑞萨	RENESAS
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产品属性

产品编号：
IDT71V35761S200BQG
制造商：
Renesas Electronics America Inc
类别：
集成电路（IC） > 存储器
包装：
托盘
存储器类型：
易失
存储器格式：
SRAM
技术：
SRAM - 同步，SDR
存储容量：
4.5Mb（128K x 36）
存储器接口：
并联
电压 - 供电：
3.135V ~ 3.465V
工作温度：
0°C ~ 70°C（TA）
安装类型：
表面贴装型
封装/外壳：
165-TBGA
供应商器件封装：
165-CABGA（13x15）
描述：
IC SRAM 4.5MBIT PAR 165CABGA

供应商	型号	品牌	批号	封装	库存	备注	价格
深圳市毅创腾电子科技有限公司	IDT71V35761S200BQG	IDT	23+	165-CABGA(13x15)	1389	专业分销产品!原装正品!价格优势!	询价
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深圳中芯器材有限公司	IDT71V35761S200BQG	RENESAS(瑞萨)/IDT	24+	165-CABGA (13x15)	18000	存储器 > 静态随机存取存储器(SRAM)	询价
深圳市一线半导体有限公司	IDT71V35761S200PF	IDT	24+	QFP	3423		询价

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