IDT71V35761S200BG技术资料参数原装现货IDT-114ic电子网

首页 >IDT71V35761S200BG>规格书列表

零件编号	下载&订购	功能描述	制造商&上传企业	LOGO
IDT71V35761S200BG	文件：282.83 Kbytes Page：22 Pages	128K x 36, 256K x 18 3.3V Synchronous SRAMs 3.3V I/O, Pipelined Outputs Burst Counter, Single Cycle Deselect Description TheIDT71V35761/781arehigh-speedSRAMsorganizedas128Kx36/256Kx18.TheIDT71V35761/781SRAMscontainwrite,data,addressandcontrolregisters.InternallogicallowstheSRAMtogenerateaself-timedwritebaseduponadecisionwhichcanbeleftuntiltheendofthewritec	IDTIntegrated Device Technology, Inc. 集成器深圳市集成器件技术有限公司	IDT
IDT71V35761S200BGI	文件：282.83 Kbytes Page：22 Pages	128K x 36, 256K x 18 3.3V Synchronous SRAMs 3.3V I/O, Pipelined Outputs Burst Counter, Single Cycle Deselect Description TheIDT71V35761/781arehigh-speedSRAMsorganizedas128Kx36/256Kx18.TheIDT71V35761/781SRAMscontainwrite,data,addressandcontrolregisters.InternallogicallowstheSRAMtogenerateaself-timedwritebaseduponadecisionwhichcanbeleftuntiltheendofthewritec	IDTIntegrated Device Technology, Inc. 集成器深圳市集成器件技术有限公司	IDT
IDT71V35761S200BGG	文件：972.44 Kbytes Page：21 Pages	3.3V Synchronous SRAMs 3.3V I/O, Pipelined Outputs Burst Counter, Single Cycle Deselect	IDTIntegrated Device Technology, Inc. 集成器深圳市集成器件技术有限公司	IDT
IDT71V35761S200BGG8	文件：972.44 Kbytes Page：21 Pages	3.3V Synchronous SRAMs 3.3V I/O, Pipelined Outputs Burst Counter, Single Cycle Deselect	IDTIntegrated Device Technology, Inc. 集成器深圳市集成器件技术有限公司	IDT
IDT71V35761S200BGGI	文件：972.44 Kbytes Page：21 Pages	3.3V Synchronous SRAMs 3.3V I/O, Pipelined Outputs Burst Counter, Single Cycle Deselect	IDTIntegrated Device Technology, Inc. 集成器深圳市集成器件技术有限公司	IDT
IDT71V35761S200BGGI8	文件：972.44 Kbytes Page：21 Pages	3.3V Synchronous SRAMs 3.3V I/O, Pipelined Outputs Burst Counter, Single Cycle Deselect	IDTIntegrated Device Technology, Inc. 集成器深圳市集成器件技术有限公司	IDT
71V35761S200PFG	文件：319.72 Kbytes Page：23 Pages	128Kx363.3VSynchronousSRAMs3.3VI/O,PipelinedOutputsBurstCounter,SingleCycleDeselect Features ◆128Kx36memoryconfigurations ◆Supportshighsystemspeed: Commercial: –200MHz3.1nsclockaccesstime CommercialandIndustrial: –183MHz3.3nsclockaccesstime –166MHz3.5nsclockaccesstime ◆LBOinputselectsinterleavedorlinearburstmode ◆3.3Vcorepowersupply	RENESASRenesas Electronics America 瑞萨瑞萨科技有限公司	RENESAS
IDT71V35761S200BQ	文件：282.83 Kbytes Page：22 Pages	128Kx36,256Kx183.3VSynchronousSRAMs3.3VI/O,PipelinedOutputsBurstCounter,SingleCycleDeselect Description TheIDT71V35761/781arehigh-speedSRAMsorganizedas128Kx36/256Kx18.TheIDT71V35761/781SRAMscontainwrite,data,addressandcontrolregisters.InternallogicallowstheSRAMtogenerateaself-timedwritebaseduponadecisionwhichcanbeleftuntiltheendofthewritec	IDTIntegrated Device Technology, Inc. 集成器深圳市集成器件技术有限公司	IDT
IDT71V35761S200BQG	文件：972.44 Kbytes Page：21 Pages	3.3VSynchronousSRAMs3.3VI/O,PipelinedOutputsBurstCounter,SingleCycleDeselect	IDTIntegrated Device Technology, Inc. 集成器深圳市集成器件技术有限公司	IDT
IDT71V35761S200BQGI	文件：972.44 Kbytes Page：21 Pages	3.3VSynchronousSRAMs3.3VI/O,PipelinedOutputsBurstCounter,SingleCycleDeselect	IDTIntegrated Device Technology, Inc. 集成器深圳市集成器件技术有限公司	IDT
IDT71V35761S200BQI	文件：282.83 Kbytes Page：22 Pages	128Kx36,256Kx183.3VSynchronousSRAMs3.3VI/O,PipelinedOutputsBurstCounter,SingleCycleDeselect Description TheIDT71V35761/781arehigh-speedSRAMsorganizedas128Kx36/256Kx18.TheIDT71V35761/781SRAMscontainwrite,data,addressandcontrolregisters.InternallogicallowstheSRAMtogenerateaself-timedwritebaseduponadecisionwhichcanbeleftuntiltheendofthewritec	IDTIntegrated Device Technology, Inc. 集成器深圳市集成器件技术有限公司	IDT
IDT71V35761S200PF	文件：282.83 Kbytes Page：22 Pages	128Kx36,256Kx183.3VSynchronousSRAMs3.3VI/O,PipelinedOutputsBurstCounter,SingleCycleDeselect Description TheIDT71V35761/781arehigh-speedSRAMsorganizedas128Kx36/256Kx18.TheIDT71V35761/781SRAMscontainwrite,data,addressandcontrolregisters.InternallogicallowstheSRAMtogenerateaself-timedwritebaseduponadecisionwhichcanbeleftuntiltheendofthewritec	IDTIntegrated Device Technology, Inc. 集成器深圳市集成器件技术有限公司	IDT
IDT71V35761S200PFG	文件：972.44 Kbytes Page：21 Pages	3.3VSynchronousSRAMs3.3VI/O,PipelinedOutputsBurstCounter,SingleCycleDeselect	IDTIntegrated Device Technology, Inc. 集成器深圳市集成器件技术有限公司	IDT
IDT71V35761S200PFGI	文件：972.44 Kbytes Page：21 Pages	3.3VSynchronousSRAMs3.3VI/O,PipelinedOutputsBurstCounter,SingleCycleDeselect	IDTIntegrated Device Technology, Inc. 集成器深圳市集成器件技术有限公司	IDT
IDT71V35761S200PFI	文件：282.83 Kbytes Page：22 Pages	128Kx36,256Kx183.3VSynchronousSRAMs3.3VI/O,PipelinedOutputsBurstCounter,SingleCycleDeselect Description TheIDT71V35761/781arehigh-speedSRAMsorganizedas128Kx36/256Kx18.TheIDT71V35761/781SRAMscontainwrite,data,addressandcontrolregisters.InternallogicallowstheSRAMtogenerateaself-timedwritebaseduponadecisionwhichcanbeleftuntiltheendofthewritec	IDTIntegrated Device Technology, Inc. 集成器深圳市集成器件技术有限公司	IDT

详细参数

型号：
IDT71V35761S200BG
功能描述：
IC SRAM 4MBIT 200MHZ 119BGA
RoHS：
否
类别：
集成电路(IC) >> 存储器
系列：
-
标准包装：
2,000
系列：
MoBL® 格式 -
存储器：
RAM
存储器类型：
SRAM - 异步
存储容量：
16M（2M x 8，1M x 16）
速度：
45ns
接口：
并联
电源电压：
2.2 V ~ 3.6 V
工作温度：
-40°C ~ 85°C
封装/外壳：
48-VFBGA
供应商设备封装：
48-VFBGA（6x8）
包装：
带卷(TR)

供应商	型号	品牌	批号	封装	库存	备注	价格
深圳市福安瓯科技有限公司	IDT71V35761S200BG	IDT	22+	BGA	3600	大量现货库存,提供一站式服务!	询价
深圳市昌和盛利电子有限公司	IDT71V35761S200BG	IDT	23+	N/A	9526		询价
深圳市博浩通科技有限公司	IDT71V35761S200BG	IDT	23+	BGA2214	1179	全新原装现货	询价
深圳市毅创腾电子科技有限公司	IDT71V35761S200BG	IDT	23+	119-PBGA(14x22)	9550	专业分销产品!原装正品!价格优势!	询价
深圳市向鸿伟业电子有限公司	IDT71V35761S200BG	IDT	08+	BGA	1936	只有原装!只做原装!一片起卖!	询价
深圳市欧立现代科技有限公司	IDT71V35761S200BG	IDT	22+	BGA	6980	原装现货,可开13%税票	询价
深圳市英科美电子有限公司	IDT71V35761S200BG	IDT	2021+	BGA	6157	百分百原装正品	询价
深圳市永贝尔科技有限公司	IDT71V35761S200BG	IDT	23+	NA	19960	只做进口原装,终端工厂免费送样	询价
深圳市佳鑫美电子科技有限公司	IDT71V35761S200BG	IDT	22+	BGA1424	2987	只售原装自家现货!诚信经营!欢迎来电!	询价
深圳兆威电子有限公司	IDT71V35761S200BG	IDT	23+	BGA	509	原装正品现货	询价

更多IDT71V35761S200BG供应商更新时间2024-5-5 11:02:00

相关规格书

更多

相关库存

更多

客户服务网站合作

Tel：+86-755-8246-9263、8246-9723
Fax：+86-755-8246-9723-808
Email：114ic＠114ic.com
上传库存：stock＠114ic.com
投诉建议：web＠114ic.com

Copyright © 2003-2024 114ic.com All Rights Reserved 粤ICP备05011613号粤公网安备 44030402000933号