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IDT71V35761YS183BG	文件：282.83 Kbytes Page：22 Pages	128K x 36, 256K x 18 3.3V Synchronous SRAMs 3.3V I/O, Pipelined Outputs Burst Counter, Single Cycle Deselect Description TheIDT71V35761/781arehigh-speedSRAMsorganizedas128Kx36/256Kx18.TheIDT71V35761/781SRAMscontainwrite,data,addressandcontrolregisters.InternallogicallowstheSRAMtogenerateaself-timedwritebaseduponadecisionwhichcanbeleftuntiltheendofthewritec	IDTIntegrated Device Technology, Inc. 集成器深圳市集成器件技术有限公司
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详细参数

型号：
IDT71V35761YS183BG
功能描述：
IC SRAM 4MBIT 183MHZ 119BGA
RoHS：
否
类别：
集成电路(IC) >> 存储器
系列：
-
标准包装：
2,000
系列：
MoBL® 格式 -
存储器：
RAM
存储器类型：
SRAM - 异步
存储容量：
16M（2M x 8，1M x 16）
速度：
45ns
接口：
并联
电源电压：
2.2 V ~ 3.6 V
工作温度：
-40°C ~ 85°C
封装/外壳：
48-VFBGA
供应商设备封装：
48-VFBGA（6x8）
包装：
带卷(TR)

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