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IDT71V3577S75BGGI

128K X 36, 256K X 18 3.3V Synchronous SRAMs 3.3V I/O, Flow-Through Outputs Burst Counter, Single Cycle Deselect

文件:521.539 Kbytes 页数:22 Pages

IDT

IDT71V3577S75BQG

128K X 36, 256K X 18 3.3V Synchronous SRAMs 3.3V I/O, Flow-Through Outputs Burst Counter, Single Cycle Deselect

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IDT

IDT71V3577S75BQGI

128K X 36, 256K X 18 3.3V Synchronous SRAMs 3.3V I/O, Flow-Through Outputs Burst Counter, Single Cycle Deselect

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IDT

IDT71V3577S75PFG

128K X 36, 256K X 18 3.3V Synchronous SRAMs 3.3V I/O, Flow-Through Outputs Burst Counter, Single Cycle Deselect

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IDT

详细参数

  • 型号:

    IDT71V3577S75BGGI

  • 功能描述:

    IC SRAM 4MBIT 75NS 119BGA

  • RoHS:

  • 类别:

    集成电路(IC) >> 存储器

  • 系列:

    -

  • 标准包装:

    2,000

  • 系列:

    MoBL® 格式 -

  • 存储器:

    RAM

  • 存储器类型:

    SRAM - 异步

  • 存储容量:

    16M(2M x 8,1M x 16)

  • 速度:

    45ns

  • 接口:

    并联

  • 电源电压:

    2.2 V ~ 3.6 V

  • 工作温度:

    -40°C ~ 85°C

  • 封装/外壳:

    48-VFBGA

  • 供应商设备封装:

    48-VFBGA(6x8)

  • 包装:

    带卷(TR)

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更多IDT71V3577S75BGGI供应商 更新时间2025-11-19 16:31:00