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IDT71V25761S200BGI	文件：513.179 Kbytes Page：23 Pages	128K X 36, 256K X 18 3.3V Synchronous SRAMs 2.5V I/O, Pipelined Outputs, Burst Counter, Single Cycle Deselect 文件：513.179 Kbytes 页数：23 Pages	IDT	IDT
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IDT71V25761S166PF8	文件：300 bytes Page：1 Pages	IC SRAM 4.5M PARALLEL 100TQFP	Renesas 瑞萨	Renesas

技术参数

存储器格式：
SRAM
技术：
SRAM - 同步
存储容量：
4.5Mb （128K x 36）
时钟频率：
166MHz
访问时间：
3.5ns
存储器接口：
并联
电压 - 电源：
3.135V ~ 3.465V
工作温度：
0°C ~ 70°C（TA）
安装类型：
表面贴装
封装/外壳：
100-LQFP
供应商器件封装：
100-TQFP（14x20）

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