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IDT71P72804

18Mb Pipelined QDRII SRAM Burst of 2

文件:589.18 Kbytes 页数:22 Pages

IDT

IDT71P72804S167BQ

18Mb Pipelined QDRII SRAM Burst of 2

文件:589.18 Kbytes 页数:22 Pages

IDT

IDT71P72804S200BQ

18Mb Pipelined QDRII SRAM Burst of 2

文件:589.18 Kbytes 页数:22 Pages

IDT

IDT71P72804S250BQ

18Mb Pipelined QDRII SRAM Burst of 2

文件:589.18 Kbytes 页数:22 Pages

IDT

IDT71P72804S167BQ8

IC SRAM 18M PARALLEL 165CABGA

Renesas

瑞萨

IDT71P72804S167BQG

IC SRAM 18M PARALLEL 165CABGA

Renesas

瑞萨

IDT71P72804S167BQGI

IC SRAM 18M PARALLEL 165CABGA

Renesas

瑞萨

IDT71P72804S167BQ8

Package:165-TBGA;包装:管件 类别:集成电路(IC) 存储器 描述:IC SRAM 18MBIT PARALLEL 165CABGA

Renesas Electronics America Inc

Renesas Electronics America Inc

IDT71P72804S167BQG

Package:165-TBGA;包装:管件 类别:集成电路(IC) 存储器 描述:IC SRAM 18MBIT PARALLEL 165CABGA

Renesas Electronics America Inc

Renesas Electronics America Inc

IDT71P72804S167BQGI

Package:165-TBGA;包装:管件 类别:集成电路(IC) 存储器 描述:IC SRAM 18MBIT PARALLEL 165CABGA

Renesas Electronics America Inc

Renesas Electronics America Inc

技术参数

  • 存储器格式:

    SRAM

  • 技术:

    SRAM - 同步,QDR II

  • 存储容量:

    18Mb (1M x 18)

  • 时钟频率:

    167MHz

  • 访问时间:

    8.4ns

  • 存储器接口:

    并联

  • 电压 - 电源:

    1.7V ~ 1.9V

  • 工作温度:

    0°C ~ 70°C(TA)

  • 安装类型:

    表面贴装

  • 封装/外壳:

    165-TBGA

  • 供应商器件封装:

    165-CABGA(13x15)

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更多IDT71P72804供应商 更新时间2026-2-5 15:14:00