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IDT71016S15PH	文件：482.33 Kbytes Page：9 Pages	CMOS Static RAM 1 Meg (64K x 16-Bit) Description TheIDT71016isa1,048,576-bithigh-speedStaticRAMorganizedas64Kx16.ItisfabricatedusingIDT’shigh-perfomance,high-reliabilityCMOStechnology.Thisstate-of-the-arttechnology,combinedwithinnovativecircuitdesigntechniques,providesacost-effectivesolutionforhig	IDTIntegrated Device Technology, Inc. 集成器深圳市集成器件技术有限公司	IDT
IDT71016S15PHG	文件：482.33 Kbytes Page：9 Pages	CMOS Static RAM 1 Meg (64K x 16-Bit) Description TheIDT71016isa1,048,576-bithigh-speedStaticRAMorganizedas64Kx16.ItisfabricatedusingIDT’shigh-perfomance,high-reliabilityCMOStechnology.Thisstate-of-the-arttechnology,combinedwithinnovativecircuitdesigntechniques,providesacost-effectivesolutionforhig	IDTIntegrated Device Technology, Inc. 集成器深圳市集成器件技术有限公司	IDT
IDT71016S15PHGI	文件：482.33 Kbytes Page：9 Pages	CMOS Static RAM 1 Meg (64K x 16-Bit) Description TheIDT71016isa1,048,576-bithigh-speedStaticRAMorganizedas64Kx16.ItisfabricatedusingIDT’shigh-perfomance,high-reliabilityCMOStechnology.Thisstate-of-the-arttechnology,combinedwithinnovativecircuitdesigntechniques,providesacost-effectivesolutionforhig	IDTIntegrated Device Technology, Inc. 集成器深圳市集成器件技术有限公司	IDT
IDT71016S15PHI	文件：482.33 Kbytes Page：9 Pages	CMOS Static RAM 1 Meg (64K x 16-Bit) Description TheIDT71016isa1,048,576-bithigh-speedStaticRAMorganizedas64Kx16.ItisfabricatedusingIDT’shigh-perfomance,high-reliabilityCMOStechnology.Thisstate-of-the-arttechnology,combinedwithinnovativecircuitdesigntechniques,providesacost-effectivesolutionforhig	IDTIntegrated Device Technology, Inc. 集成器深圳市集成器件技术有限公司	IDT
IDT71016S15PH8	文件：100 bytes Page：1 Pages	包装：卷带（TR）封装/外壳：44-TSOP（0.400"，10.16mm 宽）类别：集成电路（IC）存储器描述：IC SRAM 1MBIT PARALLEL 44TSOP II	RENESASRenesas Electronics America 瑞萨瑞萨科技有限公司	RENESAS
IDT71016S15PHI	文件：100 bytes Page：1 Pages	包装：卷带（TR）封装/外壳：44-TSOP（0.400"，10.16mm 宽）类别：集成电路（IC）存储器描述：IC SRAM 1MBIT PARALLEL 44TSOP II	RENESASRenesas Electronics America 瑞萨瑞萨科技有限公司	RENESAS
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71016S15PHG	文件：201.15 Kbytes Page：10 Pages	CMOSStaticRAM1Meg(64Kx16-Bit) Features ◆64Kx16advancedhigh-speedCMOSStaticRAM ◆Equalaccessandcycletimes –Commercial:12/15/20ns –Industrial:15/20ns ◆OneChipSelectplusoneOutputEnablepin ◆BidirectionaldatainputsandoutputsdirectlyTTLcompatible ◆Lowpowerconsumptionviachipdeselect ◆Upp	RENESASRenesas Electronics America 瑞萨瑞萨科技有限公司	RENESAS
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71016S15YG	文件：201.15 Kbytes Page：10 Pages	CMOSStaticRAM1Meg(64Kx16-Bit) Features ◆64Kx16advancedhigh-speedCMOSStaticRAM ◆Equalaccessandcycletimes –Commercial:12/15/20ns –Industrial:15/20ns ◆OneChipSelectplusoneOutputEnablepin ◆BidirectionaldatainputsandoutputsdirectlyTTLcompatible ◆Lowpowerconsumptionviachipdeselect ◆Upp	RENESASRenesas Electronics America 瑞萨瑞萨科技有限公司	RENESAS
71016S15YGI	文件：201.15 Kbytes Page：10 Pages	CMOSStaticRAM1Meg(64Kx16-Bit) Features ◆64Kx16advancedhigh-speedCMOSStaticRAM ◆Equalaccessandcycletimes –Commercial:12/15/20ns –Industrial:15/20ns ◆OneChipSelectplusoneOutputEnablepin ◆BidirectionaldatainputsandoutputsdirectlyTTLcompatible ◆Lowpowerconsumptionviachipdeselect ◆Upp	RENESASRenesas Electronics America 瑞萨瑞萨科技有限公司	RENESAS
IDT71016S15Y	文件：482.33 Kbytes Page：9 Pages	CMOSStaticRAM1Meg(64Kx16-Bit) Description TheIDT71016isa1,048,576-bithigh-speedStaticRAMorganizedas64Kx16.ItisfabricatedusingIDT’shigh-perfomance,high-reliabilityCMOStechnology.Thisstate-of-the-arttechnology,combinedwithinnovativecircuitdesigntechniques,providesacost-effectivesolutionforhig	IDTIntegrated Device Technology, Inc. 集成器深圳市集成器件技术有限公司	IDT
IDT71016S15YG	文件：482.33 Kbytes Page：9 Pages	CMOSStaticRAM1Meg(64Kx16-Bit) Description TheIDT71016isa1,048,576-bithigh-speedStaticRAMorganizedas64Kx16.ItisfabricatedusingIDT’shigh-perfomance,high-reliabilityCMOStechnology.Thisstate-of-the-arttechnology,combinedwithinnovativecircuitdesigntechniques,providesacost-effectivesolutionforhig	IDTIntegrated Device Technology, Inc. 集成器深圳市集成器件技术有限公司	IDT
IDT71016S15YGI	文件：482.33 Kbytes Page：9 Pages	CMOSStaticRAM1Meg(64Kx16-Bit) Description TheIDT71016isa1,048,576-bithigh-speedStaticRAMorganizedas64Kx16.ItisfabricatedusingIDT’shigh-perfomance,high-reliabilityCMOStechnology.Thisstate-of-the-arttechnology,combinedwithinnovativecircuitdesigntechniques,providesacost-effectivesolutionforhig	IDTIntegrated Device Technology, Inc. 集成器深圳市集成器件技术有限公司	IDT
IDT71016S15YI	文件：482.33 Kbytes Page：9 Pages	CMOSStaticRAM1Meg(64Kx16-Bit) Description TheIDT71016isa1,048,576-bithigh-speedStaticRAMorganizedas64Kx16.ItisfabricatedusingIDT’shigh-perfomance,high-reliabilityCMOStechnology.Thisstate-of-the-arttechnology,combinedwithinnovativecircuitdesigntechniques,providesacost-effectivesolutionforhig	IDTIntegrated Device Technology, Inc. 集成器深圳市集成器件技术有限公司	IDT

详细参数

型号：
IDT71016S15P
功能描述：
IC SRAM 1MBIT 15NS 44TSOP
RoHS：
是
类别：
集成电路(IC) >> 存储器
系列：
-
标准包装：
1
系列：
- 格式 -
存储器：
闪存
存储器类型：
闪存 - NAND
存储容量：
4G（256M x 16）
速度：
-
接口：
并联
电源电压：
2.7 V ~ 3.6 V
工作温度：
0°C ~ 70°C
封装/外壳：
48-TFSOP（0.724，18.40mm 宽）
供应商设备封装：
48-TSOP I
包装：
Digi-Reel®
其它名称：
557-1461-6

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