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71024S20YG8	文件：312.13 Kbytes Page：9 Pages	CMOSStaticRAM1Meg(128Kx8-Bit) Features ◆128Kx8advancedhigh-speedCMOSstaticRAM ◆Commercial(0°Cto+70°C),Industrial(–40°Cto+85°C) ◆Equalaccessandcycletimes —CommercialandIndustrial:12/15/20ns ◆TwoChipSelectsplusoneOutputEnablepin ◆Bidirectionalinputsandoutputsdirectly TTL-compatible ◆	RENESASRenesas Electronics America 瑞萨瑞萨科技有限公司

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71024S20YG8

文件：312.13 Kbytes

Page：9 Pages

CMOSStaticRAM1Meg(128Kx8-Bit)

Features ◆128Kx8advancedhigh-speedCMOSstaticRAM ◆Commercial(0°Cto+70°C),Industrial(–40°Cto+85°C) ◆Equalaccessandcycletimes —CommercialandIndustrial:12/15/20ns ◆TwoChipSelectsplusoneOutputEnablepin ◆Bidirectionalinputsandoutputsdirectly TTL-compatible ◆

RENESASRenesas Electronics America

瑞萨瑞萨科技有限公司

详细参数

型号：
IDT71024S20YG8
功能描述：
IC SRAM 1MBIT 20NS 32SOJ
RoHS：
是
类别：
集成电路(IC) >> 存储器
系列：
-
标准包装：
1
系列：
- 格式 -
存储器：
闪存
存储器类型：
闪存 - NAND
存储容量：
4G（256M x 16）
速度：
-
接口：
并联
电源电压：
2.7 V ~ 3.6 V
工作温度：
0°C ~ 70°C
封装/外壳：
48-TFSOP（0.724，18.40mm 宽）
供应商设备封装：
48-TSOP I
包装：
Digi-Reel®
其它名称：
557-1461-6

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