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IDT71124S20YI	文件：83.54 Kbytes Page：8 Pages	CMOS Static RAM 1 Meg (128K x 8-Bit) Revolutionary Pinout	IDTIntegrated Device Technology, Inc. 集成器深圳市集成器件技术有限公司
IDT71124S20YI	文件：100 bytes Page：1 Pages	包装：卷带（TR）封装/外壳：32-BSOJ（0.400"，10.16mm 宽）类别：集成电路（IC）存储器描述：IC SRAM 1MBIT PARALLEL 32SOJ	RENESASRenesas Electronics America 瑞萨瑞萨科技有限公司
IDT71124S20YI8	文件：100 bytes Page：1 Pages	包装：卷带（TR）封装/外壳：32-BSOJ（0.400"，10.16mm 宽）类别：集成电路（IC）存储器描述：IC SRAM 1MBIT PARALLEL 32SOJ	RENESASRenesas Electronics America 瑞萨瑞萨科技有限公司
71124S20YG	文件：188.35 Kbytes Page：9 Pages	CMOSStaticRAM1Meg(128Kx8-Bit)RevolutionaryPinout Features ◆128Kx8advancedhigh-speedCMOSstaticRAM ◆JEDECrevolutionarypinout(centerpower/GND)for reducednoise. ◆Equalaccessandcycletimes –Commercial:12/15/20ns –Industrial:15/20ns ◆OneChipSelectplusoneOutputEnablepin ◆Bidirectionalinputsandoutputsdirectly	RENESASRenesas Electronics America 瑞萨瑞萨科技有限公司
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IDT71124S20Y	文件：83.54 Kbytes Page：8 Pages	CMOSStaticRAM1Meg(128Kx8-Bit)RevolutionaryPinout	IDTIntegrated Device Technology, Inc. 集成器深圳市集成器件技术有限公司

产品属性

产品编号：
IDT71124S20YI
制造商：
Renesas Electronics America Inc
类别：
集成电路（IC） > 存储器
包装：
卷带（TR）
存储器类型：
易失
存储器格式：
SRAM
技术：
SRAM - 异步
存储容量：
1Mb（128K x 8）
存储器接口：
并联
写周期时间 - 字，页：
20ns
电压 - 供电：
4.5V ~ 5.5V
工作温度：
-40°C ~ 85°C（TA）
安装类型：
表面贴装型
封装/外壳：
32-BSOJ（0.400"，10.16mm 宽）
供应商器件封装：
32-SOJ
描述：
IC SRAM 1MBIT PARALLEL 32SOJ

供应商	型号	品牌	批号	封装	库存	备注	价格
深圳市昌和盛利电子有限公司	IDT71124S20YI	IDT	23+	400MIL32PINS	9526		询价
深圳市毅创腾电子科技有限公司	IDT71124S20YI	IDT	23+	32-SOJ	71890	专业分销产品!原装正品!价格优势!	询价
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更多IDT71124S20YI供应商更新时间2024-4-27 15:35:00

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