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71016S15YG8	文件：201.15 Kbytes Page：10 Pages	CMOSStaticRAM1Meg(64Kx16-Bit) Features ◆64Kx16advancedhigh-speedCMOSStaticRAM ◆Equalaccessandcycletimes –Commercial:12/15/20ns –Industrial:15/20ns ◆OneChipSelectplusoneOutputEnablepin ◆BidirectionaldatainputsandoutputsdirectlyTTLcompatible ◆Lowpowerconsumptionviachipdeselect ◆Upp	RENESASRenesas Electronics America 瑞萨瑞萨科技有限公司	RENESAS

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71016S15YG8

文件：201.15 Kbytes

Page：10 Pages

CMOSStaticRAM1Meg(64Kx16-Bit)

Features ◆64Kx16advancedhigh-speedCMOSStaticRAM ◆Equalaccessandcycletimes –Commercial:12/15/20ns –Industrial:15/20ns ◆OneChipSelectplusoneOutputEnablepin ◆BidirectionaldatainputsandoutputsdirectlyTTLcompatible ◆Lowpowerconsumptionviachipdeselect ◆Upp

RENESASRenesas Electronics America

瑞萨瑞萨科技有限公司

RENESAS

详细参数

型号：
IDT71016S15YG8
功能描述：
IC SRAM 1MBIT 15NS 44SOJ
RoHS：
是
类别：
集成电路(IC) >> 存储器
系列：
-
标准包装：
2,000
系列：
- 格式 -
存储器：
RAM
存储器类型：
SRAM - 异步
存储容量：
256K(32K x 8)
速度：
15ns
接口：
并联
电源电压：
3 V ~ 3.6 V
工作温度：
-40°C ~ 85°C
封装/外壳：
28-TSSOP（0.465，11.8mm 宽）
供应商设备封装：
28-TSOP
包装：
带卷(TR)
其它名称：
71V256SA15PZGI8

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更多IDT71016S15YG8供应商更新时间2024-5-1 16:00:00

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