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IDT70T653M中文资料HIGH-SPEED 2.5V 512K x 36 ASYNCHRONOUS DUAL-PORT STATIC RAM数据手册Renesas规格书
技术参数
- 型号:
IDT70T653M
- 功能描述:
IC SRAM 18MBIT 10NS 256BGA
- RoHS:
否
- 类别:
集成电路(IC) >> 存储器
- 系列:
-
- 标准包装:
3,000
- 系列:
- 格式 -
- 存储器:
EEPROMs - 串行
- 存储器类型:
EEPROM
- 存储容量:
8K(1K x 8)
- 速度:
400kHz
- 接口:
I²C,2 线串口
- 电源电压:
1.7 V ~ 5.5 V
- 工作温度:
-40°C ~ 85°C
- 封装/外壳:
8-SOIC(0.154,3.90mm 宽)
- 供应商设备封装:
8-SOIC
- 包装:
带卷(TR)
供应商 | 型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
---|---|---|---|---|---|---|---|
IDT |
25+ |
BGA |
996880 |
只做原装,欢迎来电资询 |
询价 | ||
IDT(Renesas收购) |
24+ |
NA/ |
8735 |
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询价 | ||
IDT |
24+ |
BGA |
30000 |
房间原装现货特价热卖,有单详谈 |
询价 | ||
IDT |
20+ |
BGA |
35830 |
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IDT |
1337+ |
BGA |
4 |
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xilinx |
22+ |
BGA |
6800 |
询价 | |||
24+ |
BGA |
23000 |
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IDT |
25+ |
BGA |
880000 |
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IDT |
23+ |
QFP |
8659 |
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IDT |
23+ |
256-CABGA(17x17) |
36430 |
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