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IDT70T631S10BFI数据手册Renesas中文资料规格书

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厂商型号

IDT70T631S10BFI

功能描述

HIGH-SPEED 2.5V 512/256K x 18 ASYNCHRONOUS DUAL-PORT STATIC RAM WITH 3.3V 0R 2.5V INTERFACE

制造商

Renesas Renesas Technology Corp

中文名称

瑞萨 瑞萨科技有限公司

数据手册

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更新时间

2025-8-16 11:09:00

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技术参数

  • 型号:

    IDT70T631S10BFI

  • 功能描述:

    IC SRAM 4MBIT 10NS 208FBGA

  • RoHS:

  • 类别:

    集成电路(IC) >> 存储器

  • 系列:

    -

  • 标准包装:

    3,000

  • 系列:

    - 格式 -

  • 存储器:

    EEPROMs - 串行

  • 存储器类型:

    EEPROM

  • 存储容量:

    8K(1K x 8)

  • 速度:

    400kHz

  • 接口:

    I²C,2 线串口

  • 电源电压:

    1.7 V ~ 5.5 V

  • 工作温度:

    -40°C ~ 85°C

  • 封装/外壳:

    8-SOIC(0.154,3.90mm 宽)

  • 供应商设备封装:

    8-SOIC

  • 包装:

    带卷(TR)

供应商 型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
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