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IDT70P3517中文资料512K/256K x36 SYNCHRONOUS DUAL QDR-II数据手册Renesas规格书
| 厂商型号 |
IDT70P3517 |
| 参数属性 | IDT70P3517 封装/外壳为576-BBGA，FCBGA；包装为托盘；类别为集成电路（IC）的存储器；产品描述：IC SRAM 9MBIT PARALLEL 576FCBGA |
| 功能描述 | 512K/256K x36 SYNCHRONOUS DUAL QDR-II |
| 封装外壳 | 576-BBGA，FCBGA |
| 制造商 | Renesas Renesas Technology Corp |
| 中文名称 | 瑞萨 瑞萨科技有限公司 |
| 数据手册 | |
| 更新时间 | 2025-9-30 17:00:00 |
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技术参数
- 产品编号：
IDT70P3517S233RMI
- 制造商：
Renesas Electronics America Inc
- 类别：
集成电路（IC） > 存储器
- 包装：
托盘
- 存储器类型：
易失
- 存储器格式：
SRAM
- 技术：
SRAM - 双端口，同步 QDR II
- 存储容量：
9Mb（256K x 36）
- 存储器接口：
并联
- 电压 - 供电：
1.7V ~ 1.9V
- 工作温度：
-40°C ~ 85°C（TA）
- 安装类型：
表面贴装型
- 封装/外壳：
576-BBGA，FCBGA
- 供应商器件封装：
576-FCBGA（25x25）
- 描述：
IC SRAM 9MBIT PARALLEL 576FCBGA
| 供应商 | 型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
IDT |
23+ |
BGAQFP |
8659 |
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询价 | ||
IDT |
23+ |
576-FCBGA(25x25) |
9000 |
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IDT |
23+ |
BGA |
98900 |
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Renesas Electronics America In |
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IDT |
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IDT |
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IDT, Integrated Device Techno |
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IDT |
BGAQFP |
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