IDT70T633S12DD资料datasheet下载批发采购-114ic电子网

首页 >IDT70T633S12DD>规格书列表

零件编号	下载&订购	功能描述	制造商&上传企业	LOGO
IDT70T633S12DD	文件：342.05 Kbytes Page：27 Pages	HIGH-SPEED 2.5V 512/256K x 18 ASYNCHRONOUS DUAL-PORT STATIC RAM WITH 3.3V 0R 2.5V INTERFACE Description TheIDT70T633/1isahigh-speed512/256Kx18AsynchronousDual-PortStaticRAM.TheIDT70T633/1isdesignedtobeusedasastand-alone9216/4608K-bitDual-PortRAMorasacombinationMASTER/SLAVEDual-PortRAMfor36-bit-or-morewordsystem.UsingtheIDTMASTER/SLAVEDual-PortRAM	IDTIntegrated Device Technology, Inc. 集成器深圳市集成器件技术有限公司	IDT
IDT70T633S12DD	文件：100 bytes Page：1 Pages	包装：托盘封装/外壳：144-LQFP 裸露焊盘类别：集成电路（IC）存储器描述：IC SRAM 9MBIT PARALLEL 144TQFP	RENESASRenesas Electronics America 瑞萨瑞萨科技有限公司	RENESAS
IDT70T633S12DDI	文件：342.05 Kbytes Page：27 Pages	HIGH-SPEED 2.5V 512/256K x 18 ASYNCHRONOUS DUAL-PORT STATIC RAM WITH 3.3V 0R 2.5V INTERFACE Description TheIDT70T633/1isahigh-speed512/256Kx18AsynchronousDual-PortStaticRAM.TheIDT70T633/1isdesignedtobeusedasastand-alone9216/4608K-bitDual-PortRAMorasacombinationMASTER/SLAVEDual-PortRAMfor36-bit-or-morewordsystem.UsingtheIDTMASTER/SLAVEDual-PortRAM	IDTIntegrated Device Technology, Inc. 集成器深圳市集成器件技术有限公司	IDT
IDT70T633S12DDI	文件：100 bytes Page：1 Pages	包装：托盘封装/外壳：144-LQFP 裸露焊盘类别：集成电路（IC）存储器描述：IC SRAM 9MBIT PARALLEL 144TQFP	RENESASRenesas Electronics America 瑞萨瑞萨科技有限公司	RENESAS
70T633S12BC	文件：513.809 Kbytes Page：28 Pages	HIGH-SPEED2.5V512/256Kx18ASYNCHRONOUSDUAL-PORTSTATICRAMWITH3.3V0R2.5VINTERFACE Features ◆TrueDual-Portmemorycellswhichallowsimultaneous accessofthesamememorylocation ◆High-speedaccess –Commercial:10/12/15ns(max.) –Industrial:10/12ns(max.) ◆RapidWriteModesimplifieshigh-speedconsecutivewrite cycles ◆Dualchipenablesallowfordepthexpansion	RENESASRenesas Electronics America 瑞萨瑞萨科技有限公司	RENESAS
70T633S12BCG	文件：437.45 Kbytes Page：27 Pages	HIGH-SPEED2.5V512/256Kx18ASYNCHRONOUSDUAL-PORTSTATICRAM	IDTIntegrated Device Technology, Inc. 集成器深圳市集成器件技术有限公司	IDT
70T633S12BCG	文件：251.71 Kbytes Page：27 Pages	ASYNCHRONOUSDUAL-PORTSTATICRAM	IDTIntegrated Device Technology, Inc. 集成器深圳市集成器件技术有限公司	IDT
70T633S12BCGI	文件：251.71 Kbytes Page：27 Pages	ASYNCHRONOUSDUAL-PORTSTATICRAM	IDTIntegrated Device Technology, Inc. 集成器深圳市集成器件技术有限公司	IDT
70T633S12BCGI	文件：437.45 Kbytes Page：27 Pages	HIGH-SPEED2.5V512/256Kx18ASYNCHRONOUSDUAL-PORTSTATICRAM	IDTIntegrated Device Technology, Inc. 集成器深圳市集成器件技术有限公司	IDT
70T633S12BCI	文件：513.809 Kbytes Page：28 Pages	HIGH-SPEED2.5V512/256Kx18ASYNCHRONOUSDUAL-PORTSTATICRAMWITH3.3V0R2.5VINTERFACE Features ◆TrueDual-Portmemorycellswhichallowsimultaneous accessofthesamememorylocation ◆High-speedaccess –Commercial:10/12/15ns(max.) –Industrial:10/12ns(max.) ◆RapidWriteModesimplifieshigh-speedconsecutivewrite cycles ◆Dualchipenablesallowfordepthexpansion	RENESASRenesas Electronics America 瑞萨瑞萨科技有限公司	RENESAS
70T633S12BF	文件：513.809 Kbytes Page：28 Pages	HIGH-SPEED2.5V512/256Kx18ASYNCHRONOUSDUAL-PORTSTATICRAMWITH3.3V0R2.5VINTERFACE Features ◆TrueDual-Portmemorycellswhichallowsimultaneous accessofthesamememorylocation ◆High-speedaccess –Commercial:10/12/15ns(max.) –Industrial:10/12ns(max.) ◆RapidWriteModesimplifieshigh-speedconsecutivewrite cycles ◆Dualchipenablesallowfordepthexpansion	RENESASRenesas Electronics America 瑞萨瑞萨科技有限公司	RENESAS
70T633S12BFG	文件：251.71 Kbytes Page：27 Pages	ASYNCHRONOUSDUAL-PORTSTATICRAM	IDTIntegrated Device Technology, Inc. 集成器深圳市集成器件技术有限公司	IDT
70T633S12BFG	文件：437.45 Kbytes Page：27 Pages	HIGH-SPEED2.5V512/256Kx18ASYNCHRONOUSDUAL-PORTSTATICRAM	IDTIntegrated Device Technology, Inc. 集成器深圳市集成器件技术有限公司	IDT
70T633S12BFGI	文件：437.45 Kbytes Page：27 Pages	HIGH-SPEED2.5V512/256Kx18ASYNCHRONOUSDUAL-PORTSTATICRAM	IDTIntegrated Device Technology, Inc. 集成器深圳市集成器件技术有限公司	IDT
70T633S12BFGI	文件：251.71 Kbytes Page：27 Pages	ASYNCHRONOUSDUAL-PORTSTATICRAM	IDTIntegrated Device Technology, Inc. 集成器深圳市集成器件技术有限公司	IDT
70T633S12BFGI	文件：513.809 Kbytes Page：28 Pages	HIGH-SPEED2.5V512/256Kx18ASYNCHRONOUSDUAL-PORTSTATICRAMWITH3.3V0R2.5VINTERFACE Features ◆TrueDual-Portmemorycellswhichallowsimultaneous accessofthesamememorylocation ◆High-speedaccess –Commercial:10/12/15ns(max.) –Industrial:10/12ns(max.) ◆RapidWriteModesimplifieshigh-speedconsecutivewrite cycles ◆Dualchipenablesallowfordepthexpansion	RENESASRenesas Electronics America 瑞萨瑞萨科技有限公司	RENESAS
70T633S12BFI	文件：513.809 Kbytes Page：28 Pages	HIGH-SPEED2.5V512/256Kx18ASYNCHRONOUSDUAL-PORTSTATICRAMWITH3.3V0R2.5VINTERFACE Features ◆TrueDual-Portmemorycellswhichallowsimultaneous accessofthesamememorylocation ◆High-speedaccess –Commercial:10/12/15ns(max.) –Industrial:10/12ns(max.) ◆RapidWriteModesimplifieshigh-speedconsecutivewrite cycles ◆Dualchipenablesallowfordepthexpansion	RENESASRenesas Electronics America 瑞萨瑞萨科技有限公司	RENESAS
IDT70T633S12BC	文件：342.05 Kbytes Page：27 Pages	HIGH-SPEED2.5V512/256Kx18ASYNCHRONOUSDUAL-PORTSTATICRAMWITH3.3V0R2.5VINTERFACE Description TheIDT70T633/1isahigh-speed512/256Kx18AsynchronousDual-PortStaticRAM.TheIDT70T633/1isdesignedtobeusedasastand-alone9216/4608K-bitDual-PortRAMorasacombinationMASTER/SLAVEDual-PortRAMfor36-bit-or-morewordsystem.UsingtheIDTMASTER/SLAVEDual-PortRAM	IDTIntegrated Device Technology, Inc. 集成器深圳市集成器件技术有限公司	IDT
IDT70T633S12BCI	文件：342.05 Kbytes Page：27 Pages	HIGH-SPEED2.5V512/256Kx18ASYNCHRONOUSDUAL-PORTSTATICRAMWITH3.3V0R2.5VINTERFACE Description TheIDT70T633/1isahigh-speed512/256Kx18AsynchronousDual-PortStaticRAM.TheIDT70T633/1isdesignedtobeusedasastand-alone9216/4608K-bitDual-PortRAMorasacombinationMASTER/SLAVEDual-PortRAMfor36-bit-or-morewordsystem.UsingtheIDTMASTER/SLAVEDual-PortRAM	IDTIntegrated Device Technology, Inc. 集成器深圳市集成器件技术有限公司	IDT
IDT70T633S12BF	文件：342.05 Kbytes Page：27 Pages	HIGH-SPEED2.5V512/256Kx18ASYNCHRONOUSDUAL-PORTSTATICRAMWITH3.3V0R2.5VINTERFACE Description TheIDT70T633/1isahigh-speed512/256Kx18AsynchronousDual-PortStaticRAM.TheIDT70T633/1isdesignedtobeusedasastand-alone9216/4608K-bitDual-PortRAMorasacombinationMASTER/SLAVEDual-PortRAMfor36-bit-or-morewordsystem.UsingtheIDTMASTER/SLAVEDual-PortRAM	IDTIntegrated Device Technology, Inc. 集成器深圳市集成器件技术有限公司	IDT

12 >>>

产品属性

产品编号：
IDT70T633S12DD
制造商：
Renesas Electronics America Inc
类别：
集成电路（IC） > 存储器
包装：
托盘
存储器类型：
易失
存储器格式：
SRAM
技术：
SRAM - 双端口，异步
存储容量：
9Mb（512K x 18）
存储器接口：
并联
写周期时间 - 字，页：
12ns
电压 - 供电：
2.4V ~ 2.6V
工作温度：
0°C ~ 70°C（TA）
安装类型：
表面贴装型
封装/外壳：
144-LQFP 裸露焊盘
供应商器件封装：
144-TQFP（20x20）
描述：
IC SRAM 9MBIT PARALLEL 144TQFP

供应商	型号	品牌	批号	封装	库存	备注	价格
深圳市福安瓯科技有限公司	IDT70T633S12DD	IDT	22+	TQFP144	1280	长期原装现货,特价供应!	询价
深圳市毅创腾电子科技有限公司	IDT70T633S12DD	IDT	23+	144-TQFP(20x20)	3200	专业分销产品!原装正品!价格优势!	询价
深圳市永贝尔科技有限公司	IDT70T633S12DD	IDT	23+	NA	19960	只做进口原装,终端工厂免费送样	询价
瀚佳科技(深圳)有限公司	IDT70T633S12DD	IDT, Integrated Device Technol	21+	144-TQFP(20x20)	56200	一级代理/放心采购	询价
深圳市科雨电子有限公司	IDT70T633S12DD	IDT	20+	QFP-144	1001	就找我吧!--邀您体验愉快问购元件!	询价
深圳市河锋鑫科技有限公司	IDT70T633S12DD	IDT	22+	144TQFP	9000	原厂渠道,现货配单	询价
深圳市芯福林电子科技有限公司	IDT70T633S12DD	IDT	21+	144TQFP	13880	公司只售原装,支持实单	询价
易创佳业科技（深圳）有限公司	IDT70T633S12DD	IDT	23+	144TQFP	9000	原装正品，支持实单	询价
深圳市创新迹电子有限公司	IDT70T633S12DD	IDT, Integrated Device Techno	23+	144-TQFP20x20	7300	专注配单,只做原装进口现货	询价
深圳市宏捷佳电子科技有限公司	IDT70T633S12DD	Renesas Electronics America In	24+	144-LQFP 裸露焊盘	9350	独立分销商,公司只做原装，诚心经营,免费试样正品保证	询价

更多IDT70T633S12DD供应商更新时间2024-5-21 16:15:00

产品属性

相关规格书

相关库存