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IDT70T633S12DDI	文件：342.05 Kbytes Page：27 Pages	HIGH-SPEED 2.5V 512/256K x 18 ASYNCHRONOUS DUAL-PORT STATIC RAM WITH 3.3V 0R 2.5V INTERFACE Description The IDT70T633/1 is a high-speed 512/256K x 18 Asynchronous Dual-Port Static RAM. The IDT70T633/1 is designed to be used as a stand-alone 9216/4608K-bit Dual-Port RAM or as a combination MASTER/SLAVE Dual-Port RAM for 36-bit-or-more word system. Using the IDT MASTER/SLAVE Dual-Port RAM 文件：342.05 Kbytes 页数：27 Pages	IDT	IDT
IDT70T633S12DDI	文件：100 bytes Page：1 Pages	Package：144-LQFP 裸露焊盘；包装：托盘类别：集成电路（IC）存储器描述：IC SRAM 9MBIT PARALLEL 144TQFP	RENESAS 瑞萨	RENESAS
IDT70T633S12BC	文件：342.05 Kbytes Page：27 Pages	HIGH-SPEED 2.5V 512/256K x 18 ASYNCHRONOUS DUAL-PORT STATIC RAM WITH 3.3V 0R 2.5V INTERFACE Description The IDT70T633/1 is a high-speed 512/256K x 18 Asynchronous Dual-Port Static RAM. The IDT70T633/1 is designed to be used as a stand-alone 9216/4608K-bit Dual-Port RAM or as a combination MASTER/SLAVE Dual-Port RAM for 36-bit-or-more word system. Using the IDT MASTER/SLAVE Dual-Port RAM 文件：342.05 Kbytes 页数：27 Pages	IDT	IDT
IDT70T633S12BFI	文件：342.05 Kbytes Page：27 Pages	HIGH-SPEED 2.5V 512/256K x 18 ASYNCHRONOUS DUAL-PORT STATIC RAM WITH 3.3V 0R 2.5V INTERFACE Description The IDT70T633/1 is a high-speed 512/256K x 18 Asynchronous Dual-Port Static RAM. The IDT70T633/1 is designed to be used as a stand-alone 9216/4608K-bit Dual-Port RAM or as a combination MASTER/SLAVE Dual-Port RAM for 36-bit-or-more word system. Using the IDT MASTER/SLAVE Dual-Port RAM 文件：342.05 Kbytes 页数：27 Pages	IDT	IDT
IDT70T633S12DD	文件：342.05 Kbytes Page：27 Pages	HIGH-SPEED 2.5V 512/256K x 18 ASYNCHRONOUS DUAL-PORT STATIC RAM WITH 3.3V 0R 2.5V INTERFACE Description The IDT70T633/1 is a high-speed 512/256K x 18 Asynchronous Dual-Port Static RAM. The IDT70T633/1 is designed to be used as a stand-alone 9216/4608K-bit Dual-Port RAM or as a combination MASTER/SLAVE Dual-Port RAM for 36-bit-or-more word system. Using the IDT MASTER/SLAVE Dual-Port RAM 文件：342.05 Kbytes 页数：27 Pages	IDT	IDT

产品属性

产品编号：
IDT70T633S12DDI
制造商：
Renesas Electronics America Inc
类别：
集成电路（IC） > 存储器
包装：
托盘
存储器类型：
易失
存储器格式：
SRAM
技术：
SRAM - 双端口，异步
存储容量：
9Mb（512K x 18）
存储器接口：
并联
写周期时间 - 字，页：
12ns
电压 - 供电：
2.4V ~ 2.6V
工作温度：
-40°C ~ 85°C（TA）
安装类型：
表面贴装型
封装/外壳：
144-LQFP 裸露焊盘
供应商器件封装：
144-TQFP（20x20）
描述：
IC SRAM 9MBIT PARALLEL 144TQFP

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