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IDP20E65D2	文件：1.72559 Mbytes Page：10 Pages	Emitter Controlled Diode 文件：1.72559 Mbytes 页数：10 Pages	Infineon 英飞凌	Infineon
IDP20E65D2	文件：262.029 Kbytes Page：2 Pages	Ultrafast Recovery Diode 文件：262.029 Kbytes 页数：2 Pages	ISC 无锡固电	ISC
IDP20E65D2	文件：300 bytes Page：1 Pages	采用 TO-220 real2pin 封装的 650 V 硅功率二极管 Rapid 2 650 V 开关, 20 A 发射极控制硅功率二极管具有 TO-220 real2pin 封装，专为开关频率在40 kHz 到 100 kHz之间的应用而设计。 • 最低反向恢复电荷（Qrr）：BiC性能的正向电压（VF）比\n• 低反向恢复时间\n• 极低的 Irrm 可在升压开关上提供极低开通损耗\n\n优势:;	Infineon 英飞凌	Infineon
IDP20E65D2XKSA1	文件：100 bytes Page：1 Pages	Package：TO-220-2；包装：卷带（TR）剪切带（CT）Digi-Reel® 得捷定制卷带类别：分立半导体产品二极管 - 整流器 - 单描述：DIODE GEN PURP 650V 40A TO220-2	Infineon 英飞凌	Infineon

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更多IDP20E65D2供应商更新时间2025-10-6 10:46:00