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IDM10G120C5

Silicon Carbide Schottky Diode

文件:939.25 Kbytes 页数:10 Pages

Infineon

英飞凌

IDM10G120C5

采用 DPAK real2pin 封装的 1200 V 碳化硅肖特基二极管

采用 DPAK real2pin  封装的 1200V, 10 A 第五代CoolSiC™ 肖特基二极管 为碳化硅肖特基势垒二极管提供了先进的技术。英飞凌在第二代产品推出时就已引入薄晶圆技术,现在与新的合并 pn 结结合使用,改善了二极管的浪涌能力。 因此开发出了一系列产品,以极具吸引力的成本提供了市场领先的效率、以及更高的系统稳定性。 • 业内出色的正向电压(VF)\n• 无反向恢复电荷\n• Vf 的轻度正温度依赖性\n• 业内出色的冲击电流能力\n• 优异的热性能\n\n优势:\n• 高系统效率\n• 在低开关频率下实现更高的系统效率\n• 在高开关频率下实现更高的功率密度\n• 提高系统可靠性\n• 降低电磁干扰;

Infineon

英飞凌

IDM10G120C5_15

Silicon Carbide Schottky Diode

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Infineon

英飞凌

IDM10G120C5XTMA1

Package:TO-252-3,DPak(2 引线 + 接片),SC-63;包装:卷带(TR)剪切带(CT)Digi-Reel® 得捷定制卷带 类别:分立半导体产品 二极管 - 整流器 - 单 描述:DIODE SCHTKY 1200V 38A PGTO252-2

Infineon

英飞凌

技术参数

  • Product Status:

    active and preferred

  • Technology:

    CoolSiC™ G5

  • Qualification:

    Industrial

  • VDC min:

    1200 V

  • IF max:

    10 A

  • VF:

    1.5 V

  • QC:

    41 nC

  • Package:

    DPAK (TO-252-2)

  • I(FSM) max:

    99 A

  • IR:

    4 µA

  • CT:

    525 pF

  • Ptot max:

    223 W

  • RthJC:

    0.5 K/W

供应商型号品牌批号封装库存备注价格
INFINEON/英飞凌
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TO-252
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原装正品,支持实单
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INFINEON
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更多IDM10G120C5供应商 更新时间2025-12-24 14:20:00