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IDFW40E65D1E	文件：300 bytes Page：1 Pages	采用 TO-247 封装的 650 V 硅功率二极管快速 1 开关 650 V、40 A 发射极控制硅功率二极管，采用 TO-247 高级隔离封装，提供最佳成本效益解决方案。 • 650V 发射极控制技术\n• 温度稳定性\n• 低正向电压 (VF)\n• 低反向恢复电荷 (Qrr)\n• 低反向恢复电流 (Irrm)\n• 软度系数 >1\n• 最高结温 175°C\n• 2500 VRMS 电气隔离\n• 100% 经过测试的隔离安装表面\n• 无铅电镀：符合 RoHS 标准\n• 符合工业应用要求;	Infineon 英飞凌	Infineon
IDFW40E65D1E	文件：1.45539 Mbytes Page：11 Pages	丝印：D40E65D1E；Package：PG-TO247-3-AI；650V Emitter Controlled technology 文件：1.45539 Mbytes 页数：11 Pages	Infineon 英飞凌	Infineon
IDFW40E65D1EXKSA1	文件：100 bytes Page：1 Pages	Package：TO-247-3；包装：散装类别：分立半导体产品二极管 - 整流器 - 单描述：DIODE GP 650V 42A TO247-3-AI	Infineon 英飞凌	Infineon
IDW40E65D1	文件：1.90674 Mbytes Page：11 Pages	Ultra fast recovery 文件：1.90674 Mbytes 页数：11 Pages	Infineon 英飞凌	Infineon

技术参数

IF：
40 A
IRmax：
40 µA
Irrm：
11 A
Ptotmax：
78 W
Qrr：
0.57 µC
RthJCmax：
1.92 K/W
trr：
76 ns
VF：
1.7 V
Mounting：
THT
Package：
TO-247
Operating Temperature：
-40 °C to 175 °C
Voltage Classmax：
650 V
Configuration：
Single

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更多IDFW40E65D1E供应商更新时间2025-11-24 15:08:00

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